搜索结果: 1-15 共查到“物理学 晶体管”相关记录109条 . 查询时间(0.153 秒)
中国科学院物理研究所电压调控型磁子晶体管（图）
电压调控 磁子晶体管 电子器件
2024/3/16
磁子(Magnon)作为磁有序系统的元激发和携带角动量及相位信息的准粒子，是开发后摩尔时代波基计算(Wave based computing)及无焦耳热微电子器件的理想信息载体。磁子流的高效量子调控即是实现磁子集成电路的物理基础，也是研制磁子学(Magnonics)器件的难点和热点。2024年来研究人员提出了通过外磁场、微波电流、应力以及直流电流来实现磁子流的产生与调控，但这些常规调控方法由于在微...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注，2023年来钙钛矿场效应晶体管（PeFET）在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而，基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中，制约了进一步开发仿生电子器件和边缘计算。
中国科学院微电子所发布开源薄膜晶体管TFT工艺设计套件（PDK）（图）
薄膜晶体管 集成电路 T器件
2024/2/29
2023年10月15日，在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议（CCF DAC）openDACS开源EDA专题论坛上，微电子所集成电路制造技术重点实验室（中国科学院）发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，...
本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数...
直接响应环境的混合生物晶体管问世（图）
直接响应环境 混合生物 晶体管
2023/12/12
你的手机微处理器芯片中，其实装有超过150亿个微型晶体管。晶体管由硅、金和铜等金属以及绝缘体制成，它们共同吸收电流并将其转换为1和0，以传输和存储信息。晶体管材料是无机的，基本上来自岩石和金属，但现在美国塔夫茨大学研究团队在制造晶体管时首次用生物丝取代了绝缘材料。研究成果发表在新一期《先进材料》上。
中国科学院化学研究所董焕丽课题组在新型有机偏振发光晶体管方面取得重要进展（图）
偏振发光 晶体管 有机材料
2023/11/6
有机发光晶体管（OLETs）是一种兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外，OLETs作为一种可发光的晶体管器件，克服了传统晶体管存在可输入信号类型多...
南京大学物理学院梁世军、缪峰团队首次实现莫尔突触晶体管（图）
莫尔突触 晶体管 六方氮化硼
2024/5/6
近日，南京大学物理学院梁世军、缪峰教授团队联合南京理工大学程斌教授团队，以“原子乐高”的方式搭建了六方氮化硼与双层石墨烯对齐的莫尔超晶格异质结，首次实现了可模拟生物突触短时可塑性与长时可塑性的莫尔突触晶体管（Moiré synaptic transistor）。进一步，合作团队基于莫尔突触晶体管的动力学高度可调谐的特性，提出了能够执行同质架构储备池计算的全莫尔物理神经网络（Full-moiré p...
宁波材料所在氧化物薄膜晶体管人工光电突触方面取得研究进展（图）
光电 非晶氧化物 半导体薄膜晶体
2023/11/4
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域应用潜力巨大。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等瓶颈问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产...
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法,以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道,以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源、漏电极。在适当温度下,金属氧化物可与单壁碳纳米管发生碳热反应,并选择性刻蚀高化学活性的金属性单壁碳纳米管,获得半导体性单壁碳纳米管。利用光刻技术在Si/SiO2基体上沉积金属膜,并预氧化得到金属氧化物膜。单壁碳纳米管薄膜中与金属氧化物...
中国科学院金属研究所专利：一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法
中国科学院物理研究所专利：巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结