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磁存储单元是用于记录海量数据的磁介质中的最小单元,也是当今较为可靠的高密度非易失性数据存储方式之一。为了进一步提高磁存储容量,必须在保证磁性纳米畴稳定和可读取的同时,尽可能的降低基本单元的尺寸。然而,磁性材料中的超顺磁效应限制了最小铁磁畴的大小。目前,研究人员普遍采用直写电子束光刻技术将高耦合磁性颗粒组成的连续磁性薄膜图像化成离散的单纳米结构,并局部调控异质结构的磁性,进一步开发纳米尺度的数据存储...
二元过渡金属氮化物是一类晶体结构相对简单但却物性极为丰富的功能材料。以具有3d过渡金属的二元氮化物为例,它们同样具有超导、金属-绝缘体相变、铁电、介电、热电、铁磁/反铁磁等丰富的物理特性,为研究凝聚态物理相关问题提供了新的材料体系。同时,过渡金属氮化物还兼具超强硬度、抗腐蚀、抗辐射等优势,逐渐成为功能薄膜材料领域的研究热点之一。然而,高质量过渡金属氮化物单晶块材和单晶薄膜的制备一直是困扰该领域进行...
由于具有纳米尺度稳定的铁电性和良好的CMOS兼容性,铪基铁电薄膜有望直接集成到当前的CMOS芯片中构建微纳电子器件,解决传统钙钛矿铁电薄膜在电子器件应用上的难题。因此,新型的铪基铁电材料不仅受到学术界的强烈关注,而且备受产业界(英特尔、三星、格罗方德、华为等)的青睐,被认为是解决后摩尔时代电子器件诸多瓶颈问题的关键材料之一。
2022年4月29日,中科院苏州纳米所轻量化实验室张其冲与南洋理工大学魏磊等团队合作在国际化学领域顶尖期刊Chemical Reviews发表题为Freestanding Metal-Organic Frameworks and Their Derivatives: An Emerging Platform for Electrochemical Energy Storage and Conver...
氧化物自支撑薄膜因其特有的丰富电子态和柔性特性受到科研工作者的广泛关注。目前为止,氧化物自支撑薄膜不仅实现了单层晶胞的极限厚度;并利用自身优异的柔性和弹性,实现了高达180°的弯折,以及弯折形态调控下连续可控的光导性;甚至在大尺度自由拉伸下,突破以往应力调控的局限性,实现室温铁电等众多新奇功能物性。而实现高质量自支撑薄膜的关键就是牺牲层的选择。而现有牺牲层材料受到晶格结构复杂或者需要强腐蚀性溶液等...
利用磁过滤等离子沉积技术,以甜菜碱、油酸钾、抛光NaCl单晶基片、自支撑火棉胶膜和自支撑SiN薄膜为衬底制备了自支撑Ni膜。采用原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对薄膜表面形态和粗糙度进行了分析。结果表明:自支撑Ni膜的粗糙度与衬底材料密切相关,等离子体的沉积角度直接影响纳米薄膜的微观结构,采用60°倾斜沉积在自支撑火棉胶膜衬底上,可获得表面粗糙度为1.5nm的自支撑Ni膜。

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