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中国科学院物理研究所专利：调控钙钛矿相钴氧化物材料的氧空位序相的方法
钴氧化物中氧离子迁移的动力学研究（图）
钴氧化物 氧离子迁移 动力学研究
2023/1/6
晶格应力对氧化物中的氧空位形成能和氧离子迁移能都具有重要影响。通常认为，通过单晶衬底对氧化物薄膜施加张应力可以有效地降低氧空位形成能并提高氧离子迁移能，使其更容易失去氧离子形成氧化物薄膜中的氧空位。反之，氧化物薄膜在衬底施加的压应力作用下则能够较好的保持化学组分，不容易形成氧空位。这种衬底应力对薄膜中氧离子的非线性调节效应也成为研究者们调控功能氧化物薄膜宏观物性的一个共识。然而，一直以来，如何在原...
高效地调控氧空位的有序分布是对功能氧化物物态调控的重要手段之一。研究人员已经掌握了利用应力和化学势等手段改变氧化物中的氧含量。这些技术对功能材料在人工智能、传感、储能、催化等领域具有重要的应用需求。过去的理论计算和实验结果均表明，在衬底施加的张应力作用下，氧化物薄膜的氧空位形成能显著降低而离子迁移能会显著提升，造成材料氧含量的缺失；然而，衬底施加的压应力几乎不会改变薄膜中的氧含量。这种应力对氧空位...
单原胞层强磁性钴氧化物超薄膜的实现（图）
单原胞层 强磁性 钴氧化物 超薄膜
2020/12/24
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心的硕士生李思思和博士研究生林珊在郭尔佳特聘研究员的指导下，与金奎娟研究员、谷林研究员、朱涛研究员合作利用SrCuO2无限层铜氧化物随厚度减小发生的结构相变诱导钴氧八面体键长和键角的改变，实现了单原胞层厚度（约0.4纳米）、强磁性（～0.5 μB/Co）和高居里温度（～75 K）的LaCoO3超薄膜，突破了单原胞层磁性氧化物难以在功能器件中应用的...
