搜索结果: 16-29 共查到“物理学 SiC”相关记录29条 . 查询时间(0.195 秒)
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
阴极荧光 4H-SiC 无损表征 位错及堆垛层错
2010/5/4
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中，表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的，因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错，其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征...
硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响
硅衬底碳化 异质外延 SiC薄膜结构
2009/2/17
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 s...
中国科学院物理研究所宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展
宽带隙半导体 SiC非磁性掺杂 进展
2009/2/13
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室陈小龙研究组采用非磁性Al元素对SiC进行掺杂，获得了Al掺杂的4H-SiC单相样品。磁性测量结果表明，通过掺杂Al元素（~0.75atm%）在样品中建立了长程磁有序和自旋玻璃共存的现象，即玻璃态铁磁性。一种可能的解释为：Al原子最外层为3个电子，比Si最外层少1个电子，通过Al元素的掺入，在SiC中引入了未成对电子，导致自旋磁矩的存在。这些自旋磁矩通...
功能耐热陶瓷SiC的中子衍射多相分析
中子衍射 功能陶瓷 耐热 ＳｉＣ
2009/1/4
功能耐热陶瓷碳化硅（ＳｉＣ）是一种高温工程中有希望的候选材料，这里采用工业ＳｉＣ作半成品烧结而成的粉末样品。中子衍射数据采用多相Ｒｉｅｔｖｅｌｄ最小二乘轮廓精修法处理，拟合结果表明，此样品除主相２Ｈ相（空间群为Ｐ６＿３ｍｃ）外，还有４Ｈ相（Ｃ６ｍｃ）和６Ｈ相（Ｃ６ｍｃ）以及残余杂质ＳｉＯ＿２的α相（Ｆｄ３ｍ）成分。４个相的丰度均已定出。结果表明，引进新的多相拟合程序后，利用国内的中子衍射技术不仅...
报道了单光束、双光束和三光束飞秒激光在CdS, GaN, SiC样品上诱导形成周期远小于激光波长的纳米周期结构. 研究表明, 其形成机制不同于入射光与表面散射光干涉的经典机制, 二次谐波的产生可能在其中起着重要作用; 双光束激光干涉在SiC晶体表面诱导形成二维微米-纳米复合周期结构, 干涉花样决定微米长周期结构, 长周期结构的烧蚀斑上形成了短周期的自组织纳米结构. 在上述研究基础上, 初步探索三光...
α-SiC晶面上的配向附生体
2007/12/13
研究α-SiC晶面的显微形貌时发现C面上有各种形状的α-SiC配向附生体。文中介绍了这些配向附生体的几何特征及其羣体在衬底晶面上的排列规律,讨论了附生体的生长条件,并认为这些附生体是生长后期的产物;其生长是由二维核化机理所控制,同时近似地估计了生长所需的临界过饱和度与临界晶核半径。最后介绍了在实验室生长这种配向附生体的某一次模拟试验的初步结果。
两种新的SiC高层多型体——417R和453R
2007/12/13
本文根据倒易点阵原理,详细分析了碳化硅劳埃照相中各种SiC三方多型体斑点和SiC基本类型6H斑点间的相互配置关系。这种关系共总结出不外乎十二种,本文提出利用这种关系,以及两6H类型斑点(hOl)间未知三方多型体的斑点数目,来计算未知多型体类型层数的方法。利用这一方法,对在实验室条件下以升华法制备的若干碳化硅单晶体进行了分析,发现了两种同时与6H类型连生的新的碳化硅高层多型体417R和453R,其空...
七种新的SiC六方多型体
2007/12/12
本文提出了用X射线劳埃法鉴定SiC六方多型体类型的方法。在详细地研究了xH类型与基本类型6H,15R和4H的倒易阵点间相互配置关系的基础上,推导出了这些具体关系,这种关系对于xH—6H来说仅有十二种,对于xH—15R仅有三十种,对于xH—4H仅有八种。上述的点间关系表和推求xH类型单位晶胞密堆积层数的公式同样可以普遍适用于以其他X射线照相法鉴定SiC六方多型体类型的工作中。用本文所提出的方法研究了...
采用非抛物性能带模型,对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明：温度为296 K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×104 V/cm处偏离线性区,5.0×105 V/cm处达到饱和.由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1.95×107 cm/s,纵向为6.0×106 cm/s,各向异性较为显著.当电场小于1.0×106 V/c...
Atomic Design of Polarity of GaN Films Grown
on SiC(0001)
polarity total energy calculation adlayer interface
2007/8/15
2004Vol.41No.4pp.609-613DOI:
Atomic Design of Polarity of GaN Films Grown
on SiC(0001)
DAI Xian-Qi,1,2 WU Hua-Sheng,2 XU Shi-Hong,2 XIE Mao-Hai,2 and S.Y. Tong3
1 Physi...
Pseudopotential-Based Full Zone k . p Technique for Indirect Bandgap Semiconductors: Si, Ge, Diamond and SiC
Band structure indirect bandgap semiconductors pseudopotentials
2010/4/9
The k . p is a versatile technique that describes the semiconductor band structure in the vicinity of the bandgap. The technique can be extended to full Brillouin zone by including more coupled bands ...
Numerical Simulation of the Optical Properties of SiC/SiO2 Quantum Dots
Numerical Simulation the Optical Properties SiC/SiO2 Quantum Dots
2010/10/21
We perform a theoretical investigation of the absorption and emission properties of quantum confined SiC/SiO2 spherical quantum dots, focusing on the the size-dependent emission and absorption spectra...