搜索结果: 1-15 共查到“物理学 二极管”相关记录75条 . 查询时间(0.277 秒)
中国科学技术大学在高性能量子点发光二极管取得新进展（图）
量子点发光 二极管 偶极-偶极相互作用
2024/3/8
中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与河南大学申怀彬教授、多伦多大学Edward H. Sargent教授合作，在量子点发光二极管（QD-LED）领域取得重要进展。该研究团队利用混合相CdZnSeS 量子点中的偶极-偶极相互作用使量子点有效排列，增强了发光二极管中的光子外耦合。研究成果以“Dipole–dipole-interaction-assisted se...
中国科大构筑出暖白光发光二极管器件（图）
二极管器件 光谱发射
2024/1/3
2023年12月29日，中国科学技术大学姚宏斌课题组基于新型铜碘杂化团簇，构筑出低成本、高效率、高亮度暖白光发光二极管（LED）器件。得益于所设计的铜碘杂化团簇具备的高构型熵、高发光效率和宽光谱发射等特性，研究实现了高效暖白光LED器件无掺杂、低成本、大面积的溶液法涂布制备，这是非铅金属卤化物LED领域的新突破。相关研究成果以High efficiency warm-white light-emi...
中国科学院物理研究所专利：量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种超辐射发光二极管芯片
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展（图）
纯红光 钙钛矿电致 发光二极管
2022/12/13
2022年11月23日，中国科大姚宏斌教授课题组联合张群教授、林岳教授和张国桢副研究员研究团队提出金属卤化物钙钛矿亚稳相结晶策略，有效消除了混合卤素钙钛矿CsPbI3-xBrx晶粒内部的面缺陷，从而制备了高效的纯红光钙钛矿发光二极管，其外量子效率达17.8%，亮度为9000cd m-2，研究成果以题为“Planar defect-free pure red perovskite light-emi...
超导电子学的新基石：超导二极管效应（图）
超导电子学 超导 二极管效应
2023/1/5
作为现代电子工业的基石，半导体电子器件的基元就是实现半导体二极管效应的P-N结。半导体P-N结的最大特性就是其单向导电性。在正向偏置时，P-N结处于导通状态，允许电流通过；在反向偏置时，P-N结处于截止状态，电流无法通过。半导体电子器件就是利用这样的特性实现逻辑运算。与半导体材料类似，具有宏观量子现象的超导体也在量子电子学中起到不可替代的作用，比如超导量子干涉仪等。那么，一个问题自然而生，我们能否...
复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计
GaN肖特基二极管 漏电流 击穿电压 阶梯型场板
2022/3/31
准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直GaNSBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaNSBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和...
势垒可调的氧化镓肖特基二极管
氧化镓 肖特基二极管 有效势垒 隧穿电流
2022/3/17
氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5nm、掺杂浓度为2.6×1018cm–3时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88A/cm2、反向击穿电压为182.30V、导通电阻为0.27mΩ·cm2,品质因子可达123.09MW/cm2.进一步研究发现肖特基二极管的性能与n+外延层厚度和浓...
基于非对称微波光子晶体的电磁二极管
类电磁诱导透明 光子晶体 超材料 电磁二极管
2022/3/17
通过引入具有类电磁诱导透明效应的超材料，非对称光子晶体谐振腔的透射特性得到了极大的优化，包括透射峰的品质因子和谐振腔模所对应的电磁场强度。品质因子的提高与非对称场强局域的增强有利于高性能电磁二极管的实现。我们在引入非线性材料的微带波导系统中验证了该方案。实验结果显示，此二极管在1.329GHz的工作频率下可产生高达19.7dB的透射对比度，同时输入功率强度仅为7dBm。此外，我们提出的方案并没有大...
金属卤化物钙钛矿作为新一代的半导体材料，由于其色域广、带隙易于调节、发光半峰宽窄、易于制备等优势成为制备LED器件的明星材料。钙钛矿结构中金属原子与卤素原子之间弱的离子键以及有机胺阳离子与无机八面体之间的非共价键使得钙钛矿的晶格具有柔软的特性。软晶格特性使得钙钛矿相较于传统的无机半导体对缺陷有更大的容忍性，这让钙钛矿成为可溶液法制备光电器件的理想材料。
由于具有从可见光到红外区域的宽发射光谱可调谐特性，近红外发光材料和器件，尤其是近红外相干光源愈来愈受到人们的关注，被广泛应用于农业、夜视、环境监测、生物技术、军事侦察等领域。目前学界常用基于窄禁带半导体来构筑近红外光源并取得了重大进展，但其缺点是需要复杂而昂贵的制备工艺，特别是在低维的近红外光源研发上更加困难。而ZnO作为一种直接带隙宽禁带（Eg~3.37eV）半导体材料，具有大的激子结合能（60...
近期，中科院合肥研究院固体所材料应用技术研究室史同飞副研究员课题组和中国科学技术大学肖正国教授课题组合作，在全无机CsPbI3钙钛矿发光二极管（Perovskite Light-Emitting Diodes, PeLEDs）的研究中取得进展：研究人员在CsPbI3钙钛矿前驱体溶液中添加适量的表面活性剂抑制晶粒生长，获得了平整无孔洞的α-CsPbI3纳米晶薄膜，所制备的发光二极管外量子效率高达14...
西安交通大学科研人员在钙钛矿纳米晶发光二极管研究中取得重要进展（图）
西安交通大学 钙钛矿纳米晶 发光二极管
2020/2/29
近年来，钙钛矿纳米晶具有荧光量子产率高、易于通过组分调控的发光光谱范围、简易便捷的合成方法等特点，在发光二极管领域的应用方面展现出明显优势。纯无机钙钛矿纳米晶相比于有机无机杂化钙钛矿具有更佳的环境稳定性，倍加受到研究者们的关注。然而，无论在何种钙钛矿纳米晶的制备过程中，烷基链配体必不可少。这些配体的绝缘性限制了载流子在纳米晶之间的传输，导致了最终纳米晶器件低劣的性能。目前为止，大量工作已经采用各种...
中国科学技术大学电子线路课件 半导体二极管及其应用。
