搜索结果: 1-15 共查到“知识库 光学 光电”相关记录54条 . 查询时间(0.226 秒)
西安电子科技大学光电工程学院红外物理与工程团队（图）
红外物理 信号传输 图像处理
2023/5/10
红外物理与工程团队主要从事光电虚拟现实、成像系统仿真、目标与背景环境特性、干扰建模与仿真、基于FPGA方面的信号传输与图像处理、智能光子学以及新型光纤传感技术等领域的研究。近年来主持重大专项2项，国家重点基础研究项目2项，国家自然科学基金15项，其他类型国家级与省部级项目40余项。红外物理与工程团队近年来获省部级奖励7次，师德标兵3人，出版教材专著5部，取得授权专利50余项，累积发表论文200余篇...
通过硅光电二极管激光辐照效应实验获取了辐照前后器件的I-V特性曲线，利用粒子群优化算法对二极管的等效电路参数进行提取，考察受损前后等效参数的变化规律。认为光电二极管在激光辐照受损后，其反向饱和电流会减小，等效串联电阻会增大，等效并联电阻会减小。随后，基于半导体物理理论，对这些参数变化的内在因素进行了定性分析。认为反向饱和电流减小是由掺杂离子浓度减小造成的，串联电阻增大是因掺杂离子浓度以及载流子寿命...
为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是:台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是:台面刻蚀前进行快速热退火(RTA)。采用IV测试,周长面积比(P/A),激活能和暗电流成分拟合方法对器件暗电流机制进行分析。结果显示,在22...
针对发光二极管（LED）分选设备对光电参数测量系统的需求，研制了一种基于Cortex-M3（以下简称M3）的快速LED光电参数（包括光参数和电参数两部分）测量系统。该系统分为光参数检测模块（自制光谱仪）、电参数测量模块及显示模块等3部分。光参数检测模块采用M3作为主处理器，对测量获得的光谱数据进行计算，进而得出实测的LED光参数，并将光参数传递给同样以M3为主处理器的电参数测量模块。利用该系统架构...
新型蒽衍生物蓝光材料的合成及光电性能研究
OLED 蓝光材料 蒽衍生物
2014/3/15
通过引入具有电子传输性能的噁二唑衍生物支链，采用Suzuki偶联反应，设计并合成了一种新型的蒽衍生物蓝光材料，同时研究了它的光学性能、热学性能、电化学性能以及成膜性。研究结果表明，该化合物在四氢呋喃溶液中发射蓝色荧光，最大发射波长为433 nm，其荧光量子效率为0.94，是9，10-二（β-萘基）蒽（ADN）的1.17倍。该化合物薄膜经过100 ℃高温烘烤3 h，依然保持连续、均一、平整的无定型结...
电化学法制备的还原氧化石墨烯薄膜及其光电性能研究
还原石墨烯薄膜 光电性能 还原程度 能带结构
2014/3/16
通过电化学方法在FTO导电玻璃上沉积了不同还原程度（C/O）的还原氧化石墨烯薄膜（rGO），其中rGO薄膜由未经处理的GO电解液制备，A-rGO由碱处理后的电解液制备，B-rGO由NaBH4处理后的电解液制备。利用XRD、XPS、SEM、UV-Vis对薄膜的化学结构和微观形貌进行了表征，并研究了薄膜在可见光照射下的光电性能。结果表明:在1.8 V下沉积的不同C/O比的rGO薄膜中，B-rGO薄膜的...
CCD光电参数测试系统的研制
CCD 动态范围 全自动测试 不确定度
2016/8/26
研制了一套CCD光电参数测试系统,可实现对CCD的无效像元、相对光谱响应、响应度、等效噪声照度、动态范围、面响应度不均匀性等光电参数的全自动测试。CCD的相对光谱响应测试基于单光路直接比较法实现,而其他CCD光电参数的测试则基于特制的积分球光源。四个可独立开关的溴钨灯分别安置于四个次积分球内,经高精度电动光阑与主积分球级联,主积分球壁上的照度计经标定后可实时测试积分球光源出口照度值。该光源色温不变...
利用金属纳米颗粒改善有机光电器件性能
有机光电器件 金属纳米颗粒 表面等离子体共振耦合
2013/10/15
有机发光和有机光伏器件为代表的有机光电器件在显示、照明、能源等领域有着广阔的应用前景。有机发光器件具有发光效率高、发光颜色丰富、响应速度快等优点,而有机光伏器件具有质轻、成本低、可实现柔性器件等优点。金属纳米颗粒的表面等离子体共振耦合效应可以提高有机发光器件的效率和有机光伏器件的光电转换效率,因而得到了研究人员的广泛关注。本文综述了金属纳米颗粒改善有机发光/光伏器件性能方面的研究进展,并对其今后的...
为了提高光电陀螺稳定平台的隔离度,改善其在速度扰动情况下的稳定精度和跟踪精度,将分数阶PIλ控制器引入到光电陀螺稳定平台的速率环控制中。首先,说明了采用常规PI控制提高系统精度的弊端,介绍了分数阶微积分和分数阶PIλDμ控制,提出采用分数阶PIλ控制器来提高控制系统的控制精度。然后,针对采用电流环的等效一阶纯积分控制对象,提出基于稳定裕度和剪切频率的设计方法,该方法同样适用于整数阶PI控制器。最后...
一种橙光磷光铱(Ⅲ)配合物的合成、晶体结构及光电性质研究
2-苯基-4-甲基喹啉 乙酰丙酮 铱(Ⅲ)配合物 OLEDs
2013/9/28
采用二氯甲烷为溶剂,无水碳酸钾为缚酸剂,在25℃温和条件下,以2-苯基-4-甲基喹啉铱(III)氯桥二聚体[(4m2pq)2Ir(μ-Cl)2Ir(4m2pq)2]和乙酰丙酮(Hacac)进行配位,反应合成了新型铱(Ⅲ)配合物[(4m2pq)2Ir(acac)]。通过核磁共振氢谱(1H NMR)、碳谱(13C NMR)、X射线单晶衍射等确定分子结构,利用紫外-可见吸收光谱、发射光谱对其光物理性质进...
In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响
In含量 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
2013/9/28
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,...
在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物VN-CN和CN...
具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性
LED 电流阻挡层 光功率 光效
2013/9/28
研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。 6种样品被分为3组: 普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156, 3.282, 3.284 V, 略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105, 3.205, 3.210 V)...
运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因;当阱宽较大时,能级填充是导致光谱红移的主要原因,俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。由本文得出,当量子阱宽为2.5~3.5 nm时,InGaN/GaN发光二极...