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量子阱结构自旋霍尔效应研究取得新发现香港大学自旋霍尔效应半导体物理磁场电场电子学量子理论 2006/8/21

中国科学院物理所2006年8月18日报道近日，物理所研究员戴希、方忠，副研究员姚裕贵和香港大学的张富春教授合作在自旋霍尔效应上开展了深入的研究，并取得了一些创新成果。他们利用k·p方法，仔细计算了空穴型掺杂的半导体量子陉的自旋霍尔系数，发现当掺杂浓度和自旋轨道耦合常数满足某种特定的关系时，体系的自旋霍尔系数会突然改变符号。这种随着空穴浓度或者自旋轨道耦合系数的改变而突然变号的性质，是内秉自旋霍尔...