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V族元素掺杂的单层二维铁电α-In2Se3中的带隙异常增大现象
二维材料 铁电性 掺杂 密度泛函理论计算
2022/3/18
基于第一性原理密度泛函理论计算，我们探索了V族元素（P，As和Sb）掺杂的单层二维铁电α-In2Se3的电子结构。由于本征的α-In2Se3中存在两个不等价的In原子层，V族元素掺杂在不同的In原子层会表现出不同的能带结构，对于带隙变化尤为明显。当掺杂元素位于α-In2Se3的四面体配位的In原子层时，其带隙相比于本征的单层α-In2Se3的带隙明显增大，这与通常半导体或绝缘体中杂质掺杂的物理图像...