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中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展（图）
电路 器件 晶体
2024/2/28
IGZO薄膜晶体管（TFT）由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比，IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势，该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证，以及多个单元间SN电压的均一性，仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。
中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
有机无机金属卤化物钙钛矿材料凭借高的载流子迁移率在晶体管研究中引起广泛关注，2023年来钙钛矿场效应晶体管（PeFET）在探测器和突触中的应用已得到深入研究。然而，基于PeFET的突触仍然很难将优异的载流子传输能力、光敏性和非易失性存储效应集成到一个器件中，制约了进一步开发仿生电子器件和边缘计算。
上海科技大学拓扑物理实验室在二维范德华铁磁材料的磁存储方面取得新进展（图）
二维范德华 铁磁材料 磁存储
2024/3/27
二维范德华铁磁体具有固有的长程磁有序和高度的磁可调谐性, 为高能效、非易失性自旋电子学的发展提供了一个新平台。同时，较弱的层间范德华力有利于二维铁磁与其他材料的异质集成，可拓宽相关器件的应用。近日，上海科技大学拓扑物理实验室寇煦丰团队（信息学院）、李刚团队（物质学院）和陈宇林-柳仲楷团队（物质学院）利用分子束外延（MBE）技术生长了具有晶圆级尺寸、原子级平整表面的CrTe2薄膜和Bi2Te3/Cr...
中国科学院微电子所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展（图）
铁电存储器 电学测量
2023/8/21
基于HfO2的铁电存储器（FeRAM）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响，使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。
中国科学技术大学等展示复杂系统随机建模的信息存储量子优势（图）
复杂系统 随机建模 信息存储 量子优势
2023/5/30
近日，中国科学技术大学郭光灿院士团队与英国曼彻斯特大学、新加坡南洋理工大学合作，利用量子技术在复杂系统随机建模中的信息存储方面取得重要进展。该团队教授李传锋和项国勇与合作者，使用单个量子比特的内存实现的量子模型可以获得比相同内存维度的任何经典模型更高的精度。该研究展示了量子技术在复杂系统非马尔科夫过程建模中的存储优势。2023年5月6日，相关研究成果以Implementing quantum di...
中国科学院中国科大等展示复杂系统随机建模的信息存储量子优势（图）
复杂系统 信息存储 量子优势
2023/5/31
2023年5月30日，中国科学技术大学郭光灿院士团队与英国曼彻斯特大学、新加坡南洋理工大学合作，利用量子技术在复杂系统随机建模中的信息存储方面取得重要进展。该团队教授李传锋、项国勇与合作者，使用单个量子比特的内存实现的量子模型可以获得比相同内存维度的任何经典模型更高的精度。该研究展示了量子技术在复杂系统非马尔科夫过程建模中的存储优势。5月6日，相关研究成果以Implementing quantum...
在全球变暖和能源危机的大背景下，随着新能源技术的快速发展，人们对高性能、低成本储能技术的需求不断扩张。锂离子电池由于具有高能量密度、长循环寿命等优异综合性能，广泛应用于消费电子产品、电动汽车及储能等应用领域。为应对不断提高的产能需求和日益紧缺的原材料资源，高比容量、高稳定性、低成本电极材料开发是目前锂离子电池技术研发的重要环节。2014年，Ceder等人基于渗流理论首次报道了无序岩盐氧化物材料（L...
中国科学院声学研究所专利：一种水声稀疏信道估计方法、系统、设备及存储介质
中国科大实现独立量子存储器间的远距离纠缠（图）
量子存储器 量子频率转换
2022/11/15
2022年8月5日，中国科学技术大学潘建伟及其同事包小辉、张强等，将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合，采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果以编辑推荐（Editors' Suggestion）的形式于7月28日发表在《物理评论快报》上，并被美国物理学会（APS）下属网站Physics以”Distant Memories Entangled”...
中国科学技术大学实现独立量子存储器间的远距离纠缠（图）
独立量子存储器 远距离纠缠 量子频率转换 冷原子量子存储
2022/8/4
近日，中国科学技术大学潘建伟及其同事包小辉、张强等，将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合，采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果于近日发表在《物理评论快报》上，并被美国物理学会（APS）下属网站Physics报道。
中国科大实现光子偏振态的可集成固态量子存储（图）
光子偏振态 固态量子
2022/11/16
中国科学技术大学科研部郭光灿院士团队在固态量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于自主加工的激光直写波导，实现了光子偏振态的可集成固态量子存储，存储保真度高达99.4±0.6%，该工作显著推进了可集成量子存储器在量子网络中的应用。相关成果2022年5月13日发表在国际知名学术期刊《Science Bulletin》和《Physical Review Letters》上。
中国科学技术大学物理学院郭光灿院士团队在固态量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于自主加工的激光直写波导，实现了光子偏振态的可集成固态量子存储，存储保真度高达99.4±0.6%，该工作显著推进了可集成量子存储器在量子网络中的应用。相关成果近日发表在国际知名学术期刊《Science Bulletin》和《Physical Review Letters》上。
