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高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质
二硅化钽 高压 晶体结构 电学输运性质
2018/3/30
作为一类稳定的低电阻及高温材料，二硅化钽(TaSi2)被广泛应用于集成电路中。因此，其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi2晶体在压力高达20 GPa时稳定的结晶学结构，并通过原位高压电阻测量发现，当压力增加到16.3 GPa时，TaSi2的电阻率趋于稳定在2 μΩ•cm左右；进一...
中国科学院近代物理研究所等InSb半导体纳米线电学输运性质研究取得新进展
中国科学院近代物理研究所 半导体 纳米线 电学
2012/12/3
中科院近代物理研究所材料研究中心与德国Juelich研究中心及美国南加州大学合作开展InSb半导体纳米线电学输运性质研究并取得新进展。近物所材料研究中心科研人员多年来致力于金属和半导体纳米线的制备与性质研究，在纳米线光学性质研究、纳米线晶体结构调控、特殊结构与功能的纳米材料制备等方面均取得了一系列成果。