搜索结果: 1-5 共查到“物理学 光致发光谱”相关记录5条 . 查询时间(0.418 秒)
光与物质之间的强耦合作为一种基本的量子光学现象，具有重要的科学意义。当量子发光体与光腔的耦合强度超过两者的平均损耗时，强耦合发生，形成部分光部分物质的极化激元态，在玻色-爱因斯坦凝聚、极化激元激光、量子信息等领域具有重要的应用价值。介质光腔的模式体积受到衍射极限的制约，从而限制了其能达到的耦合强度。表面等离激元可以将光场限制在纳米尺度空间，实现突破衍射极限的光场操控，因此，等离激元纳米结构成为具有...
主要研究了110keV的He+高温注入Al2O3单晶及1.1MeV/u的208Pb27+辐照注氦Al2O3样品的光致发光的特性. 从测试结果可以清楚地看到在375nm, 413nm和450nm处出现了强烈的发光峰. 并且在600K, 5×10sup>16ions/cm2剂量点, 样品的发光峰是最强的. 这表明He+注入Al2O3后使带隙中深的辐射中心复合的效率大幅度提高, 极大的增强了其发光强度,...
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
光致发光谱 量子点 双模分布 态填充
2009/5/6
采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77 K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是：(1)大量子点的态密度小于小量子点；(2)捕获载流子速率，大量子点小于小量子点；(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷，导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移...
多孔硅在30~180℃温区光致发光谱的研究
2007/8/20
对长期存放在空气中的多孔硅样品和即时制备的多孔硅样品分别在室温~180℃下进行了光致发光（PL）温度效应的研究.两类样品的PL呈现不同的变化规律.前者的PL还表现为双峰,且长波PL峰随温度升高蓝移;后者的PL表现为单峰,且PL峰位随温度升高红移.基于量子限制效应对后者进行了解释;而前者难以用分立的量子限制和表面发光中心模型来解释,实验结果表明两种机制之间可能有较复杂的耦合效应发生.