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中国科学院微电子研究所专利：一种等离子体浸没离子注入系统
中国科学院微电子研究所 专利 等离子体 浸没离子 注入系统
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种等离子体浸没离子注入系统
近日，由中核同创（成都）科技有限公司（以下简称“中核同创”）自主设计研发的全国首台“卷到卷在线连续离子注入系统”成功通过技术验收并正式交付合作方，指标满足项目需求，获得客户好评。该系统主要用于新型聚合物薄膜表面改性，可广泛应用到集成电路、医学辅料和真空成型制造等多个领域。
近日，由中核同创（成都）科技有限公司（以下简称“中核同创”）自主设计研发的全国首台“卷到卷在线连续离子注入系统”成功通过技术验收并正式交付合作方，指标满足项目需求，获得客户好评。该系统主要用于新型聚合物薄膜表面改性，可广泛应用到集成电路、医学辅料和真空成型制造等多个领域。
第十四届等离子体离子注入与沉积国际会议（14th International Conference on Plasma Based Ion Implantation&Deposition）
第十四届 等离子体离子注入与沉积 国际会议
2017/7/17
It is our great pleasure to announce that the 14th International Conference on Plasma Based Ion Implantation & Deposition, PBII&D 2017 will be held at the banqueting hall on the third floor of New Wo...
离子注入/辐照引起Al2O3单晶的改性研究
Al2O3 光致发光谱 透射电镜分析 红外光谱
2009/11/27
600K温度下用110keV的He^＋，Ne^＋，Ar^＋离子注入及320K温度下用230MeV的^208Pb^27＋辐照Al2O3单晶样品，研究了离子注入和辐照对Al2O3单晶样品结构和光学特性的影响。从测得的光致发光谱可以清楚地看到，所有样品在波长为375，413和450nm处出现了强的发光峰。且所有5×10^16ion／cm^2注入样品的发光峰均最强。经过高能Pb辐照后的样品，在390nm处...
采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。 对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理， 退火温度为700 ℃， 退火时间为10 min， 在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰。 对比了Co， Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱， 观测到二者的光致发光谱类似。 同时， 研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响， 结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐...
He离子注入的尖晶石中Au纳米颗粒的合成研究
Au纳米颗粒 尖晶石 He
2009/10/29
利用20 keV的He离子注入表面蒸镀了Au薄膜的尖晶石（MgAl2O4）样品， 随后对注入样品进行了退火处理。 在紫外可见光谱上观察到了由于金属纳米颗粒的存在而引起的较强的表面等离子体共振吸收峰， 提供了材料中金属纳米颗粒形成的光谱证据。 并对形成的Au纳米颗粒的尺寸随退火温度以及He注入剂量的变化进行了研究。
以MG1655（野生型）， LE392（recA-）和DH5α（recA-）3株E.coliK12菌株为材料， 研究了30 keV N+离子注入E.coli K12时HRS/IRR效应的诱发情况及recA 基因在其诱发中的作用。 结果显示： 小于10×1014ions/cm2低剂量离子注入大肠杆菌可诱发HRS/IRR效应； 30 keV N+离子注入MG1655， ...
利用激光扫描共聚焦显微技术和碱性单细胞凝胶电泳技术对经过离子注入后的黑松花粉粒内细胞核的直接损伤效应进行了观察鉴定。 研究结果表明， 离子注入后可以直接损伤细胞核结构， 导致细胞核裂解。 细胞核的损伤程度与注入离子的剂量密切相关， 即细胞核DNA分子的损伤程度随着注入离子剂量的增加而提高。
采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究
绝缘体上硅 离子注入 总剂量辐射效应 阈值电压漂移
2009/7/29
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性, 在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI晶体管, 并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验. 通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性. 结果表明, 在埋氧层注硅可以降低NMOS/SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移, 提高埋氧层的抗总剂量能力.
室温下首先采用160keVHe离子注入单晶Si样品到剂量5×1016ions/cm2,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量5×1015ions/cm2或接受高密度H等离子体处理.应用透射电镜观测分析了800℃高温退火引起的空腔的形成形貌.结果表明,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长.就Si离子附加辐照而言,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷,因此,它会抑制空腔的生长,而...
80 keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响
ZnO薄膜 N离子注入 X射线衍射 透射电镜
2010/4/14
室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品， 注量分别为5.0×1014， 5.0×1015和5.0×1016 ions/cm2， 然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明， 由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中， 注入5.0×1015 ions/cm2时， 观测到缺陷生成和局域无序化现象， 但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向； 随着注量...
同创中心生物育种离子注入机项目启动
2008/1/7
近日，成都同创材料表面新技术工程中心启动生物育种离子注入机项目。该项目生产的注入机是森林培育学科重点实验室设备，它将先进的等离子体技术用于林业生物育种领域，这在国内尚属首次。 该设备的研制，技术难度大，要求时间紧，合同签订之后，同创中心及时确定研制方案，组织技术人员，并结合当前保持共产党员先进性教育活动，进行了合理分工。目前已完成该项目图纸设计，部件加工正在进行中，标准设备、辅助设备订货也已经全部...
HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究
2007/8/20
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域；对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.
近日，由我所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As5～10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In(Ga)...