搜索结果: 1-15 共查到“知识库 物理学 离子注入”相关记录17条 . 查询时间(0.152 秒)
离子注入/辐照引起Al2O3单晶的改性研究
Al2O3 光致发光谱 透射电镜分析 红外光谱
2009/11/27
600K温度下用110keV的He^＋，Ne^＋，Ar^＋离子注入及320K温度下用230MeV的^208Pb^27＋辐照Al2O3单晶样品，研究了离子注入和辐照对Al2O3单晶样品结构和光学特性的影响。从测得的光致发光谱可以清楚地看到，所有样品在波长为375，413和450nm处出现了强的发光峰。且所有5×10^16ion／cm^2注入样品的发光峰均最强。经过高能Pb辐照后的样品，在390nm处...
采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。 对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理， 退火温度为700 ℃， 退火时间为10 min， 在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰。 对比了Co， Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱， 观测到二者的光致发光谱类似。 同时， 研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响， 结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐...
He离子注入的尖晶石中Au纳米颗粒的合成研究
Au纳米颗粒 尖晶石 He
2009/10/29
利用20 keV的He离子注入表面蒸镀了Au薄膜的尖晶石（MgAl2O4）样品， 随后对注入样品进行了退火处理。 在紫外可见光谱上观察到了由于金属纳米颗粒的存在而引起的较强的表面等离子体共振吸收峰， 提供了材料中金属纳米颗粒形成的光谱证据。 并对形成的Au纳米颗粒的尺寸随退火温度以及He注入剂量的变化进行了研究。
以MG1655（野生型）， LE392（recA-）和DH5α（recA-）3株E.coliK12菌株为材料， 研究了30 keV N+离子注入E.coli K12时HRS/IRR效应的诱发情况及recA 基因在其诱发中的作用。 结果显示： 小于10×1014ions/cm2低剂量离子注入大肠杆菌可诱发HRS/IRR效应； 30 keV N+离子注入MG1655， ...
利用激光扫描共聚焦显微技术和碱性单细胞凝胶电泳技术对经过离子注入后的黑松花粉粒内细胞核的直接损伤效应进行了观察鉴定。 研究结果表明， 离子注入后可以直接损伤细胞核结构， 导致细胞核裂解。 细胞核的损伤程度与注入离子的剂量密切相关， 即细胞核DNA分子的损伤程度随着注入离子剂量的增加而提高。
采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究
绝缘体上硅 离子注入 总剂量辐射效应 阈值电压漂移
2009/7/29
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性, 在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI晶体管, 并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验. 通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性. 结果表明, 在埋氧层注硅可以降低NMOS/SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移, 提高埋氧层的抗总剂量能力.
室温下首先采用160keVHe离子注入单晶Si样品到剂量5×1016ions/cm2,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量5×1015ions/cm2或接受高密度H等离子体处理.应用透射电镜观测分析了800℃高温退火引起的空腔的形成形貌.结果表明,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长.就Si离子附加辐照而言,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷,因此,它会抑制空腔的生长,而...
80 keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响
ZnO薄膜 N离子注入 X射线衍射 透射电镜
2010/4/14
室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品， 注量分别为5.0×1014， 5.0×1015和5.0×1016 ions/cm2， 然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明， 由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中， 注入5.0×1015 ions/cm2时， 观测到缺陷生成和局域无序化现象， 但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向； 随着注量...
HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究
2007/8/20
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域；对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.
本所博士后李天信同志提出的“In(Ga)As/GaAS量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”获得2003年上海市纳米专项基金资助。李天信同志提出将近年来发展很快的纳米表征技术－－扫描探针显微术引入到半导体表面量子点的局部电特性测量领域；并利用合适的离子注入实现对量子点的物性调控以获得材料光电性能的提高，为新型的光电子器件提供性能优化的实验基础。
首先简述了He离子注入单晶Si引起的气泡形成、生长以及其它缺陷对其生长的影响，介绍了Si中He气泡生长的可能微观机制以及它们在现代半导体技术中潜在的应用前景，提出了该领域研究有待解决的关键问题.
He ion implantation induced bubbles or cavities in silicon have been paid more and more attentions du...
采用110keV56Fe1+离子束垂直注入小麦种胚后,将小麦沿腹面的纵沟掰开,形成剖面,将剖面水平朝上粘贴在金属铜托上,用扫描电镜在剖面上从胚表面向纵深进行点分析,测定不同深度上由Fe元素激发出的特征X射线强度,由此得到了该种离子注入小麦胚内的最大射程约5μm,最可几射程为0.935μm.并对这种低能离子注入作物种子能诱发突变的机理进行了详细讨论.After embryo of wheat see...
重离子注入生物和药物分子的质量沉积研究技术
重离子束 生物效应 质量沉积
2010/2/24
介绍了我国在重离子束生物学这门新兴交叉学科领域已经取得的一系列领先成果 ,首次提出了重离子束生物效应系能量沉积、质量沉积、电荷交换和动量传递四者综合作用的结果 .过去的研究已初步证实了重离子注入生物和药物小分子所引起的质量沉积过程 ,并在此基础上开展了重离子注入生物和药物分子改性的研究 .将来可先应用稳定性和放射性重离子束注入生物和药物分子 ,然后用X射线衍射、电子显微镜放射自显影和图像处理等技术...
离子注入制备量子光电材料的研究
离子注入 硅纳米晶粒 量子点材料
2010/2/25
对由量子限域效应引起的硅纳米晶粒的强烈光致发光现象、离子注入技术制备量子光电材料及其在光电子器件应用领域的优势和前景作了评述和探讨．The strong photoluminescence (PL) of Si nanocrystals origined from the quantum confined effect, the preparation of quantum optoelectro...
MEVVA源离子注入金属表面优化应用
MEVVA源离子注入 钢材料 表面改性
2010/2/25
针对几种钢部件的磨损、耗能问题，本课题组应用ＭＥＶＶＡ源离子注入技术，对Ｈ１３、Ｔ１０Ａ、ＨＳＳ、Ｃｒ１７等钢材料进行了离子注入表面改性研究，得出了提高钢耐磨性和改善其固体自润滑的一套有用的离子注入工艺．Ion implantation with MEVVA source has been investigated on several types of steel such as H12,T10...