搜索结果: 1-15 共查到“物理学 量子阱”相关记录49条 . 查询时间(0.177 秒)
Ⅱ－Ⅵ族化合物原子层外延生长及短期超晶格量子阱的特性研究。
GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究
GaAs/AlGaAs 量子阱 热红外 转换焦 平面材料
2023/8/31
GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究。
中国科学院物理研究所专利：量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
双金属量子阱层中共振隧穿研究获进展（图）
双金属 量子阱层中共振隧穿 磁性隧道
2019/5/17
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M02课题组研究员韩秀峰领导的研究团队，2014年通过与法国让拉莫研究所/洛林大学博士陆沅、教授Stéphane Mangin、Michel Hehn等所在的“纳米磁性和自旋电子学组”合作，一同设计并制备了基于新型尖晶石结构的MgAl2O4单晶势垒的核心结构为Fe(001)/MgAlOx/Fe(d)/MgAlOx/Fe的双势垒磁性隧...
宽量子阱双势垒磁性隧道结中长程相位相干性研究获进展（图）
宽量子阱 双势垒磁性隧道结
2015/10/21
双势垒磁性隧道结利用在两个平行绝缘层之间的超薄磁性金属层形成二维量子阱(QW)，并通过调节金属层厚度和磁矩方向来控制量子阱共振隧穿，是研究自旋相关的量子阱态、量子阱分立能级、量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等自旋量子效应及自旋量子调控的标准结构，也是研发各种基于量子阱共振隧穿磁电阻效应的新型自旋电子学材料及量子阱共振隧穿二极管等重要单元器件的物理基础。因此这一研究课题在凝聚态物理及自旋电子学和...
据物理学家组织网近日报道，一个由瑞士、西班牙和美国科学家组成的研究小组开发出一种以量子阱为基础的热电能量收集器，可以从环境中收集热量转化为电能，在为小型电子设备供电方面有很大潜力。相关论文发表在最近的《新物理学杂志》上。目前，开发热电能量收集器的最大挑战是怎样造出既高能又高效的系统。科学家在不断实验和改进制造热电能量收集器的材料，其中之一是量子点，一种具有半导体性质的纳米晶体。量子点有着清晰的能级...
量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响
InGaN LED 电路模型 上升时间
2013/11/30
理论上研究了当 InGaN 发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系。结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现。结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构。
采用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法研究纤锌矿MgxZn1-xO/Mg0.3Zn0.7O抛物量子阱材料中的极化子能级,给出极化子基态能量、跃迁能量(第一激发态到基态)和不同支长波光学声子对电子态能级的贡献随量子阱宽度d的变化规律。理论计算中考虑了纤锌矿MgxZn1-xO/Mg0.3Zn0.7O抛物量子阱材料中声子模的各向异性和介电常数、声子(类LO和类TO)频率等随空间坐标Z...
电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应
ZnO 量子阱 电子束泵浦 量子限域斯塔克效应
2013/12/1
在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。
纤锌矿MgxZn1-xO/Mg0.3Zn0.7O抛物量子阱中极化子能级
抛物量子阱 电子-光学声子相互作用 极化子
2013/11/30
采用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法研究纤锌矿MgxZn1-xO/Mg0.3Zn0.7O抛物量子阱材料中的极化子能级,给出极化子基态能量、跃迁能量(第一激发态到基态)和不同支长波光学声子对电子态能级的贡献随量子阱宽度d的变化规律。理论计算中考虑了纤锌矿MgxZn1-xO/Mg0.3Zn0.7O抛物量子阱材料中声子模的各向异性和介电常数、声子(类LO和类TO)频率等随空间坐标Z...
电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应
ZnO 量子阱 电子束泵浦 量子限域斯塔克效应
2013/11/30
在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。
量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响
InGaN LED 电路模型 上升时间
2013/12/2
理论上研究了当 InGaN 发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系。结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现。结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构。
非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高
ZnO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
2013/9/28
在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O 的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg...