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GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究
GaAs/AlGaAs 量子阱 热红外 转换焦 平面材料
2023/8/31
GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究。
2005年11月17日美国ILLINOIS大学芝加哥分校，红外焦平面材料技术研究的资深专家SivaSivananthan教授及常勇助教到我所进行访问。上午，Siva教授为我所科研人员做了题为“MBEGrowthofHgCdTe”的学术报告，整个报告会场气氛热烈，教授就红外焦平面材料的MBE生长方式做了精辟的论述，大大开拓了科研人员的视野。无论是丰富的报告内涵、精致的幻灯制作，还是幽默风趣的演讲、翩...
2006年1月9日，全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开，我所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿，主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学，而且可应用于碲镉汞材料设计...
2006年1月9日，全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开，我所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿，主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学，而且可应用于碲镉汞材料设计...