搜索结果: 1-15 共查到“物理学 器件研究”相关记录36条 . 查询时间(0.552 秒)
中国科学院金属所双重功能光电子器件研究取得进展（图）
光电子器件 光电探测器 电子器件
2023/11/6
光电探测器和神经形态视觉传感器作为两种典型的光电子器件，在光信息的感知和处理方面具有重要作用。光电探测器具有快速的光响应和高灵敏度，适用于光学传感、通信和成像系统等领域。而神经形态视觉传感器受人眼视觉系统的启发，能够感知、存储和处理光信号。两种光电子器件各具特点且功能互补。因此，若能在单个器件上实现光电探测器和神经形态视觉传感器的集成，并可按应用场景进行切换，将提高光电子器件的集成度并拓宽其应用领...
中国科学院上海技术物理研究所红外感存算器件研究获进展（图）
红外 感存算器件 离子-电子耦合
2023/7/24
2023年7月20日，中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队，在国际上首次提出了基于离子-电子耦合效应的感存算一体神经形态光电器件，通过模拟人类视觉感知方式，解决红外感知系统分立式架构带来的高延迟和高功耗问题，为大规模硬件集成以及神经形态视觉应用提供了可能。相关研究成果以Reconfigurable, non-volatile neuromorphic photov...
上海光机所在新型介质膜配向液晶相位延迟器件研究方面取得进展（图）
液晶相位 延迟器件 薄膜光学
2023/6/16
2023年4月19，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室与上海理工大学合作在新型介质膜配向液晶相位延迟器件的研究取得进展。采用倾斜沉积介质膜对液晶进行配向，与基于传统聚酰亚胺薄膜配向的可调相位延迟器件进行了抗激光损伤等性能的比较研究，为介质膜配向的液晶器件在高功率激光系统中的实际应用提供了指导，相关研究成果以“Comparative study of liquid crystal var...
近日, 中南大学物理与电子学院刘艳平、何军教授与美国加州州立大学北岭分校(CSUN)Gang Lu、澳大利亚悉尼大学(TUS)刘宗文、湖南大学潘安练、段曦东教授等国内外学者合作，在国际顶级期刊Advanced Materials(影响因子：32.08)上发表题为“TMDCs莫尔超晶格层间耦合效应的量子调制”(Strong interlayer coupling in twisted transit...
近日，广西大学物理科学与工程技术学院孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队成果以“Recent Advances in Packaging Technologies of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes”为题在《Advanced Materials Technologies》杂志上发表综述文章。
以神经网络为代表的类脑人工智能技术正深刻影响人类社会。但目前运行神经网络计算的硬件系统依然基于传统硅基运算器与存储器，能效远低于人脑。研发具有神经形态模拟功能的类脑器件，如神经网络硬件系统的核心器件——电子突触，是进一步推进人工智能发展的重要途径之一。为执行复杂的人工智能任务，神经网络硬件系统对电子突触器件提出了诸多苛刻要求，如：非易失电导态数目（用于模拟脑突触的连续可调性）大于100，非线性度小...
近些年来单晶 MAPbBr3钙钛矿由于其优异的光电性能和良好的化学稳定性，被认为是一种可用来制备高性能光电探测器的先进材料。目前，通过对MA+掺杂替代的方法，可以有效提高晶体的光电性能。本研究对Cs+掺杂前后的单晶性质与光电性能进行了模拟、比较和分析，结果表明掺杂元素能使晶格弛豫，有效的提高晶体稳定性，降低缺陷密度，当掺杂浓度在2%时效果最好。DFT模拟与XRD、XRC的测试结果很好的证明了这一点...
高质量的氮化铝薄膜是制备高质量深紫外发射器件的关键。由于衬底材料和生产成本的限制，外延氮化铝薄膜具有较高的位错，而且晶体质量通常与基板的错切角度和方向有关。因此，如何以低成本、高效率地获得高质量薄膜成为半导体领域的一个挑战。
近年来，有机无机杂化钙钛矿由于其自身独特的优点已被广泛应用在太阳能电池及探测器的吸收层材料，钙钛矿吸收层位于空穴传输层和电子传输层之间，传输层起到保护钙钛矿吸收层、提取和传输载流子的作用。传输层与钙钛矿层界面的接触性、电荷累积，及其萃取和传输能力是影响钙钛矿探测器发展的一大难题。目前，采用金属阳离子掺杂传输层的方法，有效改善上述问题。本研究中，针对Mg2+掺杂NiO作为钙钛矿光电探测器的空穴传输层...
胶体量子点由于其优异的发光性质，被认为是下一代发光显示和固态照明领域最具潜力的材料之一。与经典的镉基和铅基量子点相比，InP基量子点不含重金属元素，其发光颜色可以覆盖整个可见光范围。因此，InP基量子点被认为是新一代“绿色”环保的发光材料。然而，受制于制备InP基量子点所需要的磷前驱体价格昂贵且易燃易爆，InP基量子点的发展仍然相对滞后。在此，我们引入了廉价和低毒的磷酸乙炔酸钠作为合成高发射InP...
在高质量UV-LEDs的应用中，AlN薄膜的应力和光学性能对器件性能至关重要。目前，采用纳米图案化蓝宝石作为衬底的方法，可以有效降低晶格失配引起的应力和位错密度。本研究针对AlN薄膜在纳米图案化和平面蓝宝石衬底上的应力和光学特性随温度的变化情况进行了比较和分析，结果表明图案化衬底生长的AlN有更小的压应力，图案化产生的纳米孔洞为应力的释放提供了通道；从衬底界面到外延层表面应力由张应力转变为压应力。...
由于AlGaN基UV-LED 器件的仍然存在许多技术上的困难和不明的老化机制，这些限制了UV-LED 的寿命可靠性和迅速渗透市场的能力。目前由于UV-LED 老化的物理机制尚未完全确定，引起了广大UV-LED研究人员的极大兴趣。基于这一现状，我们通过I-V、C-V、功率测量和一维模拟系统地研究了265 nm UVC-LEDs在不同恒定电流应力下的老化机理。通过对比实验和模拟器件老化前后载流子的浓度...
近期，中科院合肥研究院强磁场中心磁性功能材料与器件研究团队利用洛伦兹透射电子显微镜研究了Kagome晶体Fe3Sn2中的磁结构，澄清了该类材料中的复杂多拓扑态的起源，成果以“Two-dimensional characterization of three-dimensional nanostructures of magnetic bubbles in Fe3Sn2”为题发表在《国家科学评论》（...
2020年9月21日下午，由北京大学作为牵头单位，联合清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京邮电大学、西安电子科技大学、广东省半导体产业技术研究院、华中科技大学、中国科学院上海技术物理研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、湖南大学、厦门大学、中国科学院半导体研究所、北京科技大学、合肥彩虹蓝光科技有限公司等14家单位共同承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项项目——“...
基于铁电畴翻转的类脑器件研究获进展（图）
铁电畴翻转 类脑器件 电子器件
2020/3/2
随着人类社会数据量的急剧增加以及数据类型复杂程度的提高，类似于人脑的神经网络型信息处理模式效率将会明显优于传统架构计算机。开发符合神经形态计算特性的电子器件进而构建大规模人工神经网络，通过模仿人脑工作方式进行类脑计算，被认为是解决目前算力瓶颈的潜力方案，相关研究已成为未来信息科技发展的一个重要方向。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心光物理重点实验室金奎娟研究员和杨国桢院士领导的L03...