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搜索结果: 1-12 共查到物理学 优化研究相关记录12条 . 查询时间(1.543 秒)
研究并减弱永磁式圆筒型电涡流阻尼器在强冲击载荷下去磁效应对火炮后坐阻力的影响,根据其工作原理,对永磁体励磁等效处理,得到不同磁体数目下后坐阻力。建立电涡流阻尼器动力学模型,分析了去磁效应的存在,研究了不同磁靴厚度、内筒厚度、外筒厚度对阻力特性的影响。对内筒分段处理,建立强冲击载荷下后坐阻力优化模型。通过最优拉丁方进行试验设计,利用径向基神经网络与带精英策略的非支配排序遗传算法对后坐阻力规律进行多...
近年来,基于一维纳米结构(如纳米线、纳米管)的化学电阻型传感器,因具有较高的检测灵敏度和较快的响应速度,成为爆炸物气氛检测的理想材料。根据一维纳米结构传感器敏感层结构的不同,可将其划分为薄膜基传感器和单根纳米结构基传感器。单根纳米结构基传感器具有体积小、检测灵敏度高、功耗低等优势,但其存在制备工艺复杂、稳定性低、重复性差等难题。薄膜基传感器制备工艺简单、稳定性高、重复性好,更容易大规模制备和产业化...
2014年10月31日,由中国科学院工程热物理研究所传热传质研究中心承担的企业项目“混凝土骨料预冷/热设计关键技术及能耗优化研究”在北京通过验收。验收会由中国水电顾问集团有限公司举办,评审专家组由来自中国水电顾问集团有限公司以及中国电建集团旗下七个设计研究院的多位专家组成。工程热物理所传热传质研究中心主任唐大伟研究员、郭朝红副研和曾秒工程师参加会议。
采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly )作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT:PS...
减压精馏分离稳定同位素18O的模拟优化研究
SASEFEL是获得短波长X射线激光的最佳途径,SASEFEL的理论和实验研究是当前FEL研究的热点.本文利用北京大学超导加速器装置提供的电子束,通过解析理论和3D模型的数值模拟方法得到了实现SASEFEL的扭摆器的优化参数,并讨论了电子束的束流品质参数对SASEFEL的饱和长度和功率的影响,对加速器的设计和调试有重要的参考意义.
随着原子物理及表面物理研究的发展,电荷态金属离子束的需求日益增多. 近来,中国科学院近代物理研究所,14.5GHz LECR3,离子源实验平台上, 以炉子法产生的铅离子束作为研究对象, 进行了一系列,ECR,离子源关键参数(如:磁场、炉子功率、掺气等)影响高电荷态铅离子束产额的实验研究, 在此基础上, 调整优化了,LECR3,离子源的状态参数, 从而获得了强流高电荷态铅离子束,18eμa 207P...
针对中国先进研究堆(CARR)冷中子源的技术难点,研究采用国际上尚无先例的带助冷冷包结构及带助冷两相热虹吸自然循环冷却方式的可行性。在此基础上,开展了新冷却方式下冷包内液氢形状的优化,对不同冷包结构下的中子性能进行分析,优化出较好的冷包结构。针对该冷却方式,开展了对冷中子源运行稳定性至关重要的自稳特性的研究,推导出具有一阶惯性环节的自稳特性方程。通过对方程解的分析,证明了CARR新冷却方式具有较...
为实现BEPCⅡ的总体要求,对直线注入器的强流电子束和正电子束进行了系统的束流光学模拟和优化研究.提出了束流光学的自动校正环路.系统地研究了束流初始偏轴和加速器部件的安装误差对束流归一化发射度和轨道偏移的影响.提出了采用“一对一”的束流轨道校正机制,以有效抑制这些影响,确保直线注入器的束流性能.
BEPCⅡ未来的预注入器由热阴极电子枪、两个次谐波聚束器(SHB)、行波预聚束器以及行波聚束器组成.除电子枪以外,各个部分都位于螺线管磁场中.使用PARMELA和EGUN程序模拟和优化了预注入器的束流动力学.对SHB的聚束电压和漂移距离、预聚束器与聚束器的相位和加速梯度、螺线管磁场的形状等都进行了细致的研究优化,并讨论了聚束器出口10ps束长内电荷量的极限值.
提出了采用一支价格低廉的微测力传感器作为匹配光栅解调系统的波长读出单元,不同于以往动态匹配光栅解调法采用拉伸匹配光栅的PZT驱动电压作为解调系统波长读出单元.当匹配光栅和传感光栅布喇格中心波长重叠时,光电探测器将接收到最大光信号.利用光纤光栅轴向受力和反射波长漂移的数学关系得到光纤光栅传感器的波长漂移.该解调系统解决了传统动态匹配解调系统中PZT本身特性对系统的影响,探测到的光纤光栅传感器反射波长...
专著信息 书名 降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究 语种 中文 撰写或编译 作者 全知觉,叶振华,胡伟达,李志锋,陆卫 第一作者单位 出版社 红外与毫米波学报,投稿 出版地 出版日期 年 月 日 标准书号 介质类型 页数 字数 开本 相关项目 HgCdTe的材料芯片方法研究

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