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搜索结果: 1-5 共查到物理学 有偏压相关记录5条 . 查询时间(0.096 秒)
本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法,属于半导体器件抗辐射技术领域,包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加,调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管,在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源,提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程,施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压,使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级,...
该项目首先将外电场应用于光伏光折变晶体,发现了一类稳态的空间孤子-屏蔽光伏孤子。当光伏效应为零时,这类孤子的物理系统就转化为屏蔽孤子的物理系统;当外电场为零时,这类孤子的物理系统就转化为光伏孤子的物理。
实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件,分别用N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-napthyl)-1,1’-biphenyll-4,4’-diamine(NPB)和4,4,N,N’-dicarbazolebiphenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒。讨论了3个器件在反向偏压调制下的光致发光的猝灭。研究结果显示在作者所制备的器件中NPB层中激子的猝灭速度要比CBP层中的激子猝...
用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的TiO2薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见透射光谱仪和纳米压痕仪等手段,对不同脉冲负偏压下合成薄膜的相结构、微观结构、表面形貌、力学和光学性能进行表征.结果表明,沉积态薄膜为非晶态.脉冲负偏压对薄膜性能有明显的影响.随偏压的增加,薄膜厚度、硬度和弹性模量均先增大后减小,前者峰值出现在100—200 V负偏压范围,后两...
给出了中心对称光折变晶体中屏蔽孤子的高阶空间电荷场.当高阶项可以忽略时,这个电荷场就变为早前在中心对称光折变晶体中研究的屏蔽孤子的空间电荷场.研究了中心对称光折变晶体中屏蔽孤子的高阶非线性波动方程.在适当的条件下,这个非线性波动方程能够展示明暗空间光孤子.这类晶体不同于非中心对称晶体,其非线性折射率的改变来源于二次电光效应,而不是一般的线性电光效应.应用光束传播的方法,对这些孤子的稳定性进行了讨论...

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