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新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
2023年3月22日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组在《自然》（Nature）期刊上发表题为“2D fin field-effect transistors integrated with epitaxial high-κ gate oxide”的研究论文。
硅和氧是地球表面含量最高的两种元素。半导体硅的性质非常优异且均衡，一直是半导体和集成电路产业界的绝对主流材料，其中一个关键原因是硅的自身氧化物二氧化硅同时兼具高度致密、均匀、绝缘的特性，且二者界面质量高。热氧化产生的二氧化硅层可用作器件的栅介质、晶圆表面钝化层、扩散掺杂阻挡层等等，作为硅的完美伴侣在各种电子器件和数字集成电路的加工和应用中发挥了极其重要的作用。除硅之外的其它半导体材料（锗、硅锗、砷...
Y 掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究
2007/7/28
专著信息
书名
Y 掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究
语种
中文
撰写或编译
作者
郭得峰,耿为刚,兰伟,黄春明,王印月
第一作者单位
出版社
物理学报 54（12）371-376（2005）
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
超低介电常数纳米多孔薄膜材料的制备和特性研究