搜索结果: 1-15 共查到“物理学 ZnO”相关记录76条 . 查询时间(0.187 秒)
外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面电学性能
ZnO压敏电阻 缺陷 微观特性 内建电场
2022/3/24
自支撑Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列及其光学性质
水浴法 自支撑 Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列 光学性质
2014/3/15
利用简单、温和的二步水浴法制备一种大面积自支撑、可自由迁移的Ag掺杂ZnO花状纳米线阵列。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、元素能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、室温和变温光致发光谱(PL)等一系列表征手段对所制备的自支撑Ag掺杂ZnO纳米线阵列进行了研究。研究结果显示:这种自支撑纳米材料具有良好的晶体质量和光学性质,在低温(85 K)下显示出A0X和FA为主导的受主相关发射峰,通过理...
Fe、Ni共掺杂ZnO基稀磁半导体光学性能与铁磁性研究
共掺杂ZnO 水热法 光学性能 铁磁性
2014/3/16
采用水热法成功制备了不同掺杂浓度的Zn1-2xFexNixO(x=0,0.025,0.05,0.1)稀磁半导体材料,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线能量色散分析仪(XEDS)对样品进行表征,并结合拉曼(Raman)光谱、光致发光光谱(PL)和振动样品磁强计(VSM)研究样品的光学性能和磁学性能。结果表明,水热法制备的样品具有结晶性良好的纤锌矿结构,没有杂峰出现,形貌为纳米...
ZnO@GQDs核壳结构量子点的制备及性能研究
氧化锌量子点 石墨烯量子点 ZnO@GQDs核壳结构量子点 协同优化
2014/3/16
采用原位聚合法制备了以ZnO量子点为核、石墨烯量子点(GQDs)为壳的ZnO@ GQDs核壳结构量子点。通过TEM和HR-TEM对量子点进行形貌和结构的分析表征。结果表明,合成的ZnO@ GQDs核壳结构量子点为球形,粒径为~7 nm,且尺寸均匀。PL光谱研究表明,新型量子点的发射峰位于369 nm,发光峰窄、强度高;相对于ZnO的本征发射峰,GQDs的引入使得ZnO@GQDs核壳量子点的荧光发射...
N掺杂纳米ZnO的制备及光催化性能
氧化锌 光催化剂 N掺杂
2013/11/30
通过NH3等离子体后处理引入N使其进入到ZnO晶格中,制备出了N掺杂的纳米ZnO光催化剂。通过测试,研究了该样品的结构性质、表面形貌和在不同催化剂浓度、不同反应物浓度、氧气等条件下光催化降解甲基橙的降解效率。分析结果表明,N的掺杂提高了光催化剂的光催化效率。
不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
ZnO 高背景电子浓度 生长室真空 氢杂质
2013/11/30
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019 cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段...
采用热蒸发法成功制备了Al掺杂四针状ZnO纳米结构(T-AZO),利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、荧光光谱仪和场发射测试系统分别研究了不同Al摩尔分数对T-AZO纳米结构表面形貌、微结构、光致发光谱和场发射特性的影响。实验结果表明:T-AZO纳米结构呈现六角纤锌矿结构,Al掺杂对四针状ZnO纳米结构的形貌产生明显影响并且使紫外发射峰产生蓝移。实验中,当Al掺杂摩尔分数为3%时,场发射性能最好,其...
N掺杂纳米ZnO的制备及光催化性能
氧化锌 光催化剂 N掺杂
2013/12/2
通过NH3等离子体后处理引入N使其进入到ZnO晶格中,制备出了N掺杂的纳米ZnO光催化剂。通过测试,研究了该样品的结构性质、表面形貌和在不同催化剂浓度、不同反应物浓度、氧气等条件下光催化降解甲基橙的降解效率。分析结果表明,N的掺杂提高了光催化剂的光催化效率。
Mn掺杂对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响
ZnO Mn 拉曼 稀磁半导体
2013/9/27
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO:Mn薄膜的结构特性。 Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增...
水热法制备钼掺杂ZnO纳米结构及其光学特性研究
钼掺杂 水热法 光致发光
2013/9/27
用水热法以Zn(NO3)2·6H2O和NaOH为原料,分别以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)、聚乙烯吡咯烷酮-K30(PVP-K30)、聚乙二醇400(PEG400)、乙二胺四乙酸(EDTA)为添加剂,制备钼掺杂的纳米ZnO。扫描电镜(SEM)结果表明,通过改变添加剂的种类可以合成不同形貌钼掺杂的ZnO;X射线衍射(XRD)结果表明,掺杂的ZnO纳米粉体为六方纤锌矿结构,...
非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高
ZnO 量子阱 激子隧穿 内量子效率
2013/9/28
在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O 的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg...
ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展
氧化锌 薄膜晶体管 有源层 制备方法
2014/3/20
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素。目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等)。为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣...