搜索结果: 46-60 共查到“凝聚态物理学”相关记录6124条 . 查询时间(0.429 秒)
中国科学院理论物理研究所精确多体计算揭示新型镍基高温超导体系的配对机理(图)
多体计算 镍基高温 超导体系
2024/3/16
寻找具有高转变温度的超导材料并理解其超导机理,是凝聚态强关联领域的重大挑战之一。最近,理论物理所李伟课题组与合作者利用基态与有限温度张量网络态方法开展精确多体计算,对高压相镍基超导体La3Ni2O7的双层t-J-J⊥最简模型开展研究,发现存在稳健的s-波超导,提出了层间磁介导配对机理,同时主要结论对相关超冷费米气量子模拟实验也具有指导意义。
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种高压自动泄压系统
中国科学院大连化学物理研究所 专利 高压 自动泄压系统
2024/1/22
上海高研院新型膜材料快速海水淡化研究取得进展(图)
海水淡化 框架晶体膜
2024/3/3
中国科学院上海高等研究院(以下简称“上海高研院”)纳孔构型的分离与能源转化团队在共轭框架晶体膜超快海水淡化方面的研究取得重要进展,相关成果以“Alkadiyne-pyrene conjugated frameworks with surface exclusion effect for ultrafast seawater desalination”为题发表在Journal of the Amer...
美国科研人员首次在三维晶体中捕获电子
三维晶体 捕获电子 美国麻省理工学院
2024/1/17
美国高温超导体研究取得新进展
美国 高温 超导体
2024/1/16
俄罗斯建立3D打印磁铁模型
俄罗斯 3D打印 磁铁模型
2024/1/16
中国科学院物理研究所从预测模型到真实结构—直接法在蛋白质晶体结构解析中的新应用(图)
蛋白质 晶体结构 解析
2024/3/16
高精度结构预测工具AlphaFold的出现,使得科学家可以通过计算机直接窥探生命基本物质—蛋白质及其复合物的基本构型,这就为蛋白质功能的研究、药物的筛选、以及蛋白质的从头设计,提供了不可估量的帮助。然而,预测从来不可能脱离实验而单独存在,特别是对于一些困难的案例,如超大复合物、长螺旋结构等,如何迈过这万里长征的最后一步,仍然是当前的热门话题。
中国科学院工程热物理研究所在超临界二氧化碳换热器灵活性设计研究方面取得新进展(图)
二氧化碳 循环 固体材料
2024/2/29
超临界CO2循环是目前国际上公认的具有高效灵活优势的新型动力循环之一,在电力调峰、新能源、船舰及航天推进等领域具有重要潜在应用。作为超临界CO2循环关键装备,高效灵活的换热器对于整个系统的高效紧凑和负荷响应速率非常重要。超临界CO2循环透平出口温度超过450 ℃,回热量约是蒸汽循环的3倍,在紧凑设计条件下热惯性不可忽略,循环负荷跟随特性受到明显制约。为解决上述问题,亟需开展换热器热惯性理论及缓和热...
中国科学院力学所提出离子喷射分子模拟新策略(图)
离子喷射 分子模拟 界面
2024/1/16
2024年1月12日,中国科学院力学研究所微纳米流体力学团队利用分子模拟,探讨了离子液体-真空界面电场诱导离子喷射现象。该工作为选择合适的离子喷射分子模拟策略提供了指导,并为后续研究更复杂的电喷射现象奠定了基础。相关研究成果发表在《流体物理》(Physics of Fluids)上,并入选编辑精选。
中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展(图)
电路 器件 晶体
2024/2/28
IGZO薄膜晶体管(TFT)由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺,在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比,IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势,该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证,以及多个单元间SN电压的均一性,仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。
中国科学院物理所发现单带Mott绝缘体氯化铌(图)
绝缘体氯化铌 电子结构 凝聚态物理
2024/1/12
在没有相互作用或者只存在弱相互作用的体系中,能带理论能够很好地描述材料的电子结构,并据此区分金属(部分填充)和绝缘体(全空或全满)。然而,这种理解并不完整,因为多体相互作用可能导致能带理论的失效,典型案例即为Mott绝缘体。在能带理论中,半填充的能带应表现为金属态。然而,由于强电子-电子相互作用,实际上呈现为绝缘态,即Mott绝缘体。
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破(图)
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管,可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...