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本发明涉及一种深紫外波段的硼酸铷钡双折射晶体及制备方法和用途,该晶体的化学式为Rb5Ba2B21O36,分子量为1505.02,属三斜晶系,空间群为P,晶胞参数为a=6.7686(7)Å,b=11.0035(12)Å,c=11.2465(11)Å,α=99.443(4)°,β=90.790(4)°,γ=99.855(4)°,Z=1,V=813.32(15)Å...
本发明涉及一种氟化硼磷酸铵化合物和氟化硼磷酸铵非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的分子式为(NH4)3B11PO19F3,分子量为565.01,采用固相法制成;该晶体的分子式为(NH4)3B11PO19F3,分子量为565.01,该晶体属三方晶系,空间群为R3,其晶胞参数为a=b=11.3782(17)Å,c=11.912(3)Å,Z=3,α=β=90°,γ=120°,V...
本发明提供一种化合物低温相九硼酸锂锶和九硼酸锂锶非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为LiSrB9O15,分子量为431.85,采用固相合成法或真空封装法制成;该晶体的化学式为LiSrB9O15,分子量为431.85,属于正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数为a=8.5432(5)Å,b=8.6390(4)Å,c=14.8622(8)Å,α=β=γ=...
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种气流交换器的透气膜装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种多磁性目标的定位方法及定位系统
本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法,该方法用熔体法生长晶体,通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂,使得高温熔体的粘度大大降低,同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1,因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在生长界面处排到熔体中,从而使晶体生长更易进行,更易获得较大尺寸的晶体以及晶体生长效率更高,实现氟硼酸铯晶体的工业应用。
本发明涉及一种化合物六羟基氯四硼酸铯和六羟基氯四硼酸铯双折射晶体及制备方法和用途,该化合物的分子式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl,分子量为361.65,采用温和的溶剂蒸发法制成,该晶体化学式为Cs[B(OH)3][B3O3(OH)3]Cl,分子量为361.65,属于单斜晶系,空间群是P21/c,晶胞参数a=8.3917(3)Å,b=11.9993(4)Å,c=...
本发明涉及一种化合物三羟基氯三硼酸铯和三羟基氯三硼酸铯双折射晶体及制备方法和应用,该化合物的分子式为CsB3O3(OH)3Cl,分子量为299.81,采用温和的溶剂蒸发法制成。该晶体化学式为CsB3O3(OH)3Cl,分子量为299.81,属于单斜晶系,空间群是P21/c,晶胞参数a=8.175(3) Å,b=7.927(2) Å,c=14.096(4) Å,β=12...
2023年10月15日,在第4届中国计算机学会集成电路设计与自动化学术会议(CCF DAC)openDACS开源EDA专题论坛上,微电子所集成电路制造技术重点实验室(中国科学院)发布了开源非晶硅薄膜晶体管TFT工艺PDK。重点实验室李志强研究员作了发布报告。
在重费米子、铜氧化物、铁基等非常规超导体中,电子通过相对运动克服库仑排斥,诱导自身配对产生超导电性,是目前已知的实现常压高温超导的唯一途径。因此,建立不同于常规电-声耦合配对机制的非常规超导理论,是探索常压下高温甚至室温超导的必然要求。
本发明提供一种化合物氟硼酸锂钾和氟硼酸锂钾双折射晶体及制备方法和用途,所述化合物的化学式为Li2KB5O8F2,分子量为273.03,采用固相合成法或真空封装法制成;该晶体的化学式为Li2KB5O8F2,分子量为273.03,属于正交晶系,空间群为Pbcn,晶胞参数为a=8.966(5)Å,b=9.272(8)Å,c=8.247(8)Å,α=90°,β=90°,γ=9...
本发明提供一种化合物氟硼酸锂钠和氟硼酸锂钠双折射晶体及制备方法和用途,所述化合物的化学式为Li2NaB5O8F2,分子量为256.92,采用固相合成法或真空封装法制成;该晶体的化合物的化学式为Li2NaB5O8F2,分子量为256.92,属于正交晶系,空间群为Pbcn,晶胞参数为a=8.815(6)Å,b=9.540(6)Å,c=8.300(4)Å,α=90°,β=9...
本发明涉及一种化合物硼酸锌钡和硼酸锌钡双折射晶体及其制备方法和用途,该化合物的化学式为BaZnB4O8,分子量373.95,采用固相反应法合成化合物;该晶体的分子式为BaZnB4O8,分子量373.95,三斜晶系,空间群P?1,晶胞参数为a=12.0790(8)?,b=12.1128(8)?,c=17.1247(10)?,α=71.165(2)°,β=77.178(2)°,γ=60.214(2)°...
本发明涉及一种大尺寸胍基四氟硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途,该晶体分子式为CN3H6BF4,分子量为146.90,属于三方晶系,空间群为R3m,晶胞参数为a=7.4445(4)?,b=7.4445(4)?,c=9.1025(9)?,α=90.00°,β=90.00°,γ=120.00°,Z=3,V=436.88(5);该晶体的透过范围为190?2450 nm,双折射率为0.12@546 nm,采...
本发明涉及一种硒镓镁钠中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用,该晶体的化学式为NaMg3Ga3Se8,分子量为936.76,结晶于六方晶系,空间群为P,晶胞参数为a=17.5765(4)?,b=17.5765(4)?,c=3.88110(10)?;α=90°,β=90°,γ=120°,V=1038.36(5)?3。硒镓镁钠为浅黄色的柱状晶体,晶体结构由[GaSe4]、[MgSe6]和[NaSe9]...

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