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中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
中国科学院物理研究所博士生导师张坚地研究员（图）
中国科学院物理研究所 博士生导师 研究员 实验凝聚态 材料物理
2024/1/10
张坚地，表面物理国家重点实验室杰出研究员、北京凝聚态物理国家研究中心首席科学家，博士生导师。1982年在南京理工大学获物理学士学位，1986年在中科院上海原子核研究所获理学硕士学位，1994在美国Syracuse 大学获凝聚态物理专业博士学位。曾先后在美国内布拉斯加大学，田纳西大学及橡树岭国家实验室做博士后研究与工作(1995-1998) 。他于 1998-2008年在美国Florida Inte...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 硼酸钠镉 晶体 生长方法
2024/1/10
本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8...
中国科学院物理研究所自旋超固态及其巨大磁卡效应的发现（图）
磁卡效应 量子磁体 凝聚态物理
2024/1/13
量子磁体中如果存在自旋阻挫效应，体系中的自旋交换相互作用将会相互竞争，导致经典基态无法满足能量最低的要求。因此，在阻挫量子磁性体系中探索新型量子物态是凝聚态物理的一个重要研究方向。此外，利用新型量子物态的丰富低能激发和相应的量子临界物态调控，有可能获得高效的固态制冷效应，相关研究正在逐步发展成为一个新兴的研究方向，研究成果有望为低温固态制冷提供新的思路和解决方案，缓解低温研究领域面临的氦气短缺问题...
中国科学院物理所在新型笼目超导体中发现非平庸拓扑能带和轨道选择性电子向列相（图）
拓扑 轨道 电子 凝聚态物理
2024/1/10
笼目（kagome）结构材料因其独特的kagome结构而具有平带、范霍夫奇异点（VHS），以及具有线性色散关系的狄拉克点等特殊的电子能带结构，展现出电子强关联、拓扑以及多体效应，很快成为研究几何阻挫、非平庸拓扑能带以及多种电子序耦合与竞争的重要平台，是凝聚态物理研究的热点之一。2020年发现的笼目超导体AV3Sb5 (A=K, Rb和Cs)因其新颖的电荷密度波序、手性磁通相、反常霍尔效应、非常规超...
本发明涉及化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途，特别是一种用于深紫外-红外波段的分子式为NaBO2的偏硼酸钠双折射晶体。该晶体的化学式为NaBO2，分子量为65.8，属于三方晶系，空间群是Rc，晶胞参数a?=?11.8617??, ?b=11.8617??, ?c?=?6.3957??，V?=?590.93??3?, Z=4；其透光范围为180-3500?nm，双折射率为0.09（3500?n...
本发明涉及一种化合物氯硼硅酸钡和非线性光学晶体氯硼硅酸钡及其制备方法和用途。所述化合物化学式为Ba7SiB3O13Cl，分子量为1265.35，采用固相反应法合成；所述氯硼硅酸钡非线性光学晶体化学式为Ba7SiB3O13Cl，分子量为1265.28，晶体结构属六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为：a=11.195?(4)??, c=7.263(6)??, Z=2, V=788.3?3，晶体具有...
本发明涉及一种用于红外-紫外波段的铯铅碳氧碘双折射晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Cs3Pb2(CO3)3I，分子量1120.04，属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为a=24.549(3)?，b=5.4233(8)?，c=12.8598(16)?，β=114.533(8)°，V=1557.5(4)?3，Z=4；该铯铅碳氧碘双折射晶体为正双轴晶体，nz-ny> ny-nx，透过范围为30...
本发明涉及一种化合物铷硼碳氧碘氢和铷硼碳氧碘氢非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Rb9[B4O5(OH)4]3(CO3)I?7H2O，分子量为1656.07，该晶体的分子式为Rb9[B4O5(OH)4]3(CO3)I?7H2O，分子量为1656.07，属于三方晶系，空间群为P-62c，采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法即可得到铷硼碳氧碘氢非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为...
本发明涉及一种化合物钒酸锂钠光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为LiNaV2O6，分子量为227.81，属单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=10.184(2)??，b=9.067(2)??，c=5.8324(11)??，β=108.965(14)o，Z=2，V=?509.33(19)??3，双折射率Δn=0.136，透光波段350nm至2500nm之间，采用固相反应法合成，高温熔液法...
本发明涉及一种氯酸铅红外非线性光学晶体材料及制备方法和用途，该光学材料的通式为Pb2+xOCl2+2x，其中0＜x＜0.139或0.141＜x＜0.159或0.161＜x≤0.6，该光学晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群Fmm2, 晶胞参数为a=33.4963(14)±0.05?, b=5.8320(2)±0.05??，c=16.0912(6)±0.05?，采用化合物熔体法或助溶剂生长晶体。通...
本发明涉及一种铝硅酸锂非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的分子式为Li3AlSiO5，分子量155.89，正交晶系，空间群Pna21(No.33)，晶胞参数为a=5.331(3)Å，b= 15.551(9)Å，c=4.782(3)Å，Z=4，V=396.4(4)Å3。其粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的0.8倍，具有宽的透光波段，透光波段175n...
本发明涉及一种硫锑钠钡光学晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为BaNaSbS3，分子量为378.26，属于单斜晶系，空间群为P21/C，晶胞参数为a=6.0668（16）Å，b=14.232(4)Å，c=7.778(2)Å，V=646.9(3)Å3，Z=4。采用高温固相法制成，通过本发明所述方法获得的硫锑钠钡晶体，该晶体在空气中稳定，不易潮解，不溶于水，在中...
本发明涉及一种锂铷钡铝硼氧氟和锂铷钡铝硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途，锂铷钡铝硼氧氟的化学式为Rb3Ba3Li2Al4B6O20F，分子量1194.09，采用固相反应法制成，锂铷钡铝硼氧氟非线性光学晶体的化学式均为Rb3Ba3Li2Al4B6O20F，分子量905.82，属六方晶系，空间群P‑62c，晶胞参数为a=8.7017(2) Å，c=16.9807(8) ...
本发明提供一种化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为CsB4O6F，分子量为291.15，为晶体结构，采用固相合成法或真空封装法制成，所述晶体的化学式为CsB4O6F，分子量为291.15，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=7.9241 Å，b=11.3996 Å，c=6.6638 Å，α=β=γ=90°，单胞体积为...