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Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响
超晶格 硅纳米晶 离子注入
2009/10/26
研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入2.0×1014 cm-2和2.0×1015 cm-2剂量的铈离子(Ce3+)，再分别以不同温度对其进行二次退火，获得多种样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现，Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品，随着退火温...