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中国科学院金属研究所专利：一种硼掺杂含特定晶面二氧化钛晶体的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 硼掺杂 特定晶面 二氧化钛晶体
2023/9/28
本发明涉及光催化材料领域,具体为一种硼掺杂含特定晶面二氧化钛晶体的制备方法。以硼化钛为前驱体,将其装入含不同阴离子的酸性溶液的反应釜中,反应釜密封后,放入烘箱加热处理,取出反应样品,用去离子水清洗并烘干,从而在含阴离子的酸性体系中得到硼掺杂含特定晶面二氧化钛晶体；通过在不同气氛下进一步热处理上述硼掺杂二氧化钛晶体,调控硼在晶体内的分布以及引入新的异质原子。本发明以硼化钛为前驱体、阴离子为形貌控制剂...
中国科学院金属研究所专利：一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法
中国科学院金属研究所 专利 磁场 电场 电弧离子镀 长管内壁镀膜
2023/9/28
中国科学院金属研究所专利：一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法
中国科学院金属研究所专利：一种高效超顺磁性铁酸盐纳米砷吸附剂及其制备工艺
中国科学院金属研究所 专利 磁性 铁酸盐 纳米砷吸附剂
2023/9/14
本发明属于纳米吸附材料领域,具体为一种高效超顺磁性铁酸盐纳米砷吸附剂及其制备工艺,制备出的纳米铁酸盐能很好的除去水中有害离子(以砷为例),且表现出强的磁性回收能力,以解决目前水中有害离子超标和吸附剂回收利用的问题。该吸附剂由超顺磁性尖晶石铁酸盐相纳米颗粒组成,吸附剂是晶粒尺寸3～8nm的纳米粉末,其比表面积为100～500m2/g。该工艺以无水金属氯化物、无水乙醇、氢氧化钠为反应前驱物,通过溶剂热...
中国科学院金属研究所专利： 一种电弧离子镀铁磁性复合结构靶材
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子 镀铁 磁性 复合结构 靶材
2023/9/12
本实用新型属于薄膜制备领域,具体地说是一种电弧离子镀铁磁性复合结构靶材。所述复合结构靶材包括高磁导率的软磁性材料靶壳与铁磁性材料靶材,所述铁磁性材料靶材与软磁性材料靶壳相连。本实用新型复合结构靶材解决了由于铁磁性靶材表面增加沟槽克服磁屏蔽时,降低了靶材使用寿命,进而本实用新型复合结构靶材解决了为改变靶面磁力线分布,在沉积系统中附加耦合磁场所带来的设备操作复杂及成本增加问题。
中国科学院金属研究所专利：牙用磁性固位体
中国科学院金属研究所 专利 牙用 磁性固位体
2023/9/11
本发明属于口腔医学修复和医疗器械技术领域,具体为一种牙用磁性固位体,解决现有技术中存在的潜在危害、固位体组件结合强度低和易脱落等问题。无镍耐蚀铁素体软磁不锈钢做成的T型杯状磁轭,稀土钕铁硼永磁体置于磁轭内,与磁轭凹处底部紧密贴合；高氮无镍奥氏体无磁不锈钢圆形薄片嵌入T型的杯状磁轭内,与磁体的另一面紧密贴合,与磁轭开口端面形成一个平面,圆周的缝隙采用微区激光焊接密封。这种包裹永磁体的T型杯状磁轭与嵌...
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5～120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成,成型采用等静压成型,成型压力...
本实用新型提供一种电磁超声探头。它是由永磁铁、非磁性材料隔片、跑道形平面线圈、碳钢片、探头保护层、壳体、电容和切换开关组成；永磁铁排成若干列,每列若干个,相邻永磁铁的磁极相反吸合在碳钢片上,磁铁之间由非磁性材料片隔开,跑道形线圈粘贴在永磁铁下端,在检测时线圈与工件表面可以保持一定距离。本实用新型利用线圈上的激励信号来实现同一个电磁超声探头发射/接收的切换,用作发射探头时所有跑道形线圈并联,激励能量...
中国科学院金属研究所专利：含硅酸言涂层的可吸收医用镁基金属及其制备方法和应用
本发明涉及钕铁硼磁体材料的表面防护技术,具体为一种钕铁硼磁体材料表面磷化处理与有机涂层双层防护的方法。首先对钕铁硼除油、除锈；然后将钕铁硼浸于磷化液中5～15min,生成一层磷化膜,水洗干燥后,再涂覆一层有机涂料,形成有机涂层。本发明针对目前电镀、化学镀等一些表面防护方法前处理复杂、苛刻,且防腐性能又一般等问题。采用磷化处理与有机涂层双层防护的表面处理技术,工艺简单,且不需经过复杂的前处理,在保证...
本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法,属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形,然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜,最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面的纳米碳质薄膜,或通过底层金属的刻蚀在剥离其担载的金属或陶瓷薄膜的同时去除附着于预制图形表面的纳米碳质材料,保留与基体直接接触的薄膜形成相应的图形,从而实现了纳...
中国科学院金属研究所专利：一种抗高温氧化永磁体及制备方法
中国科学院金属研究所 专利 抗高温氧化 永磁体
2023/9/4
本发明提供了一种抗高温氧化的永磁体,该永磁材料包括Sm2Co17型稀土永磁基材和镀覆在Sm2Co17型稀土永磁基材表面的Cr2O3镀层；以及该永磁体的制备方法。本发明通过在Sm2Co17型稀土永磁基材的表面上镀覆形成Cr2O3镀层,能够有效抑制Sm2Co17型稀土永磁材料的氧化,显著提高Sm2Co17型永磁材料在700℃及其温度以下的抗氧化性能。该永磁体有望用作在航空航天、国防工业、通讯技术等领域...
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法,以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道,以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源、漏电极。在适当温度下,金属氧化物可与单壁碳纳米管发生碳热反应,并选择性刻蚀高化学活性的金属性单壁碳纳米管,获得半导体性单壁碳纳米管。利用光刻技术在Si/SiO2基体上沉积金属膜,并预氧化得到金属氧化物膜。单壁碳纳米管薄膜中与金属氧化物...
中国科学院金属研究所专利：一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法
中国科学院金属研究所专利：一种Ti3Al1-xSixC2／TiO2纳米线或晶须一体化材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Ti3Al1-xSixC2 TiO2纳米线 晶须一体化
2023/8/23
中国科学院金属研究所专利：一种Ti3Al1-xSixC2／TiO2纳米线或晶须一体化材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种在腔体外控制阴极移动的等离子体电弧炉