搜索结果: 16-30 共查到“物理学 专利”相关记录1133条 . 查询时间(0.612 秒)
本发明涉及一种非共面的新型空间聚焦离子门组件及空间聚焦型离子迁移管。利用改变离子门的结构和空间分布以及在迁移区施加脉冲加速电压实现离子轴线方向分布的离子压缩，从而提高离子迁移谱的分辨率和峰容量，提高离子迁移谱的性能和扩大应用范围。
本发明涉及一种掺杂剂辅助的电离源，这种电离源利用了紫外灯照射掺杂剂电离产生的电子以及照射载气产生的光化学反应。它包括两部分：紫外光源和内装填有掺杂剂的容器。紫外光照射易电离的掺杂剂能够产生低能量的光电子。光电子可以吸附到载气中光化学产生的O3上得到O3-，O3-或其水合离子O3(H2O)n可以和空气中存在的大量CO2反应生成CO3-(H2O)n（n=0-3）。CO3-(H2O)n可以作为试剂离子和...
一种基于全氟烷基磺酸根阴离子的磺酸功能化离子液体及其制备方法，该类离子液体的结构式用下式表示：其中，m代表3或4，n代表1-9的整数，R为-CH3，-CH2CH3或-(CH2)3CH3。其制备方法为：采用含氮杂环化合物与氯乙醇反应生成的物质或者氯化胆碱作前体；然后将前体与全氟烷基磺酸盐发生置换反应，将Cl-置换为CF3(CF2)nSO3-获得中间体；采用磺内酯与前述中间体阳离子上-OH进行开环反应...
本发明为一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管，其特征在于利用表面放电电离产生薄离子片来替代传统离子门，利用脉冲电场将离子引入漂移区，仪器装配简单，易于批量化和微型化。由沿轴线分布的脉冲推斥电极、表面放电离子源、漂移区、栅网、离子接收极等构成；待测物被离子源电离产生的产物离子分别被脉冲推斥电极引入漂移区，在高压电源提供的电场中飞行，最终被离子接收极接收检测。
一种用于电子加速的静电透镜装置，该装置包括带栅网电极片、排斥电极片、加速电极片和接地电极片。该装置可用于光电子成像系统中脱附过程中电子的加速，该结构电路设计简单，稳定性好，对光电子成像电子的加速以及成像的能量分辨起到重要的作用。
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种双电离的离子源
中国科学院大连化学物理研究所 专利 双电离 离子源
2024/1/18
一种双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离（EI源）和真空紫外灯电离（PI源）两种电离方式组成，其结构包括进样管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、推斥板和接地栅板。本发明拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。
本发明公开了一种可同时检测正、负离子的组合式平板差分式离子迁移谱，包括正、负离子分离区，正离子漂移区和检测区，负离子漂移区和检测区；正、负离子分离区由两组或两组以上平行的电极对（或平行栅网）组成，平行的电极对（或平行栅网）间施加一定的电压差，在电场作用下实现正负离子的空间分离；正、负离子分别进入正离子漂移区和检测区、负离子漂移区和检测区进行分析检测。这样可以有效避免正、负离子由于相互吸引而导致的正...
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 硼酸钠镉 晶体 生长方法
2024/1/10
本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8...
本发明涉及以氮为中心的多脲基三脚架型功能单体分子的合成方法，该方法通过苯乙烯一端带有的异氰酸酯和三胺生成脲的方法，采用?3?异丙烯基?α, α?二甲基苄基异氰酸酯和三(2?氨乙基)胺反应，通过控制反应原料的摩尔比，反应时间，反应溶剂，得到既含有末端可聚合双键，又同时含有具有自聚集效应的多脲基官能团的苯乙烯类功能单体分子。所获得的以氮为中心的多脲基三脚架型功能单体分子，脚架功能单体是通过一个顶端氮原...
本发明涉及化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途，特别是一种用于深紫外-红外波段的分子式为NaBO2的偏硼酸钠双折射晶体。该晶体的化学式为NaBO2，分子量为65.8，属于三方晶系，空间群是Rc，晶胞参数a?=?11.8617??, ?b=11.8617??, ?c?=?6.3957??，V?=?590.93??3?, Z=4；其透光范围为180-3500?nm，双折射率为0.09（3500?n...
本发明涉及一种化合物氯硼硅酸钡和非线性光学晶体氯硼硅酸钡及其制备方法和用途。所述化合物化学式为Ba7SiB3O13Cl，分子量为1265.35，采用固相反应法合成；所述氯硼硅酸钡非线性光学晶体化学式为Ba7SiB3O13Cl，分子量为1265.28，晶体结构属六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为：a=11.195?(4)??, c=7.263(6)??, Z=2, V=788.3?3，晶体具有...
本发明涉及一种用于红外-紫外波段的铯铅碳氧碘双折射晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Cs3Pb2(CO3)3I，分子量1120.04，属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为a=24.549(3)?，b=5.4233(8)?，c=12.8598(16)?，β=114.533(8)°，V=1557.5(4)?3，Z=4；该铯铅碳氧碘双折射晶体为正双轴晶体，nz-ny> ny-nx，透过范围为30...
本发明涉及一种化合物铷硼碳氧碘氢和铷硼碳氧碘氢非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Rb9[B4O5(OH)4]3(CO3)I?7H2O，分子量为1656.07，该晶体的分子式为Rb9[B4O5(OH)4]3(CO3)I?7H2O，分子量为1656.07，属于三方晶系，空间群为P-62c，采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法即可得到铷硼碳氧碘氢非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为...
本发明涉及一种化合物钒酸锂钠光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为LiNaV2O6，分子量为227.81，属单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=10.184(2)??，b=9.067(2)??，c=5.8324(11)??，β=108.965(14)o，Z=2，V=?509.33(19)??3，双折射率Δn=0.136，透光波段350nm至2500nm之间，采用固相反应法合成，高温熔液法...