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中国科学院金属研究所专利：一种硬质薄膜残余应力测试仪
中国科学院金属研究所 专利 硬质薄膜 残余应力 测试仪
2023/12/25
本实用新型涉及硬质薄膜残余应力测量技术,具体地说是一种硬质薄膜残余 应力测试仪,解决精确测量硬质薄膜的残余应力等问题,该测试仪包括激光器、 半透镜、光感器,激光器的入射激光束与半透镜倾斜设置,半透镜的另一侧设置 有拱形试片。试片因单面薄膜应力产生弯曲,通过测定试片曲率半径可以计算相 应的薄膜应力。采用He-Ne激光器产生入射光束,依次经由半透镜的透射及试片 表面的反射到达光感器(四象限硅光电池接收...
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子设备
中国科学院金属研究所 专利 PLC可控 旋转横向磁场 电弧离子设备
2023/12/25
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子设备
中国科学院合肥物质科学研究院专利：可调谐激光晶体蓝绿宝石及其制法和用途
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 可调谐 激光晶体 蓝绿宝石
2023/12/25
中国科学院合肥物质科学研究院专利：可调谐激光晶体蓝绿宝石及其制法和用途
本发明涉及一种碱式硼酸锌非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体分子式为：Zn2BO4H，分子量为206.56，属于单斜晶系，空间群为P21，单胞参数为a=5.730(7)Å，b=4.952(4)Å，c=6.881(6)Å,β=99.09(5)°，Z=2，透光波段紫外吸收截止边在220 nm，采用封袋水热法制备碱式硼酸锌非线性光学晶体，该方法制备简单，生长周期短，所使用...
本发明提供一种化合物碘化磷酸锡和碘化磷酸锡双折射晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Sn2PO4I，分子量为459.25，采用固相反应法或真空封装法制备，该晶体的化学式为Sn2PO4I，分子量为459.25，属于正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为a=5.224(2)Å，b=8.069(3)Å，c=15.616(7)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物二羟基二氟化三硼酸胍和二羟基二氟化三硼酸胍非线性光学晶体及制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 二羟基二氟化三硼酸胍 非线性光学晶体
2023/12/21
本发明涉及一种化合物二羟基二氟化三硼酸胍及二羟基二氟化三硼酸胍非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]，分子量为212.53，采用蒸发法、水热法或室温溶液法制备；该晶体的化学式为[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]，分子量为212.53，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为a=4.8288(7)Å，b=6.8455(10)&...
本发明涉及一种系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12；该系列晶体的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，别为(NH4)2B4SO10，K2B4SO10，Rb2B4SO10或Cs2B4SO10,分子量分别为271....
中国科学院金属研究所专利：多模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置
中国科学院金属研究所 专利 旋转横向 磁场控制 电弧离子镀
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的多 模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置。该电弧离子镀装置设有 靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内 设置基体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于 真空室外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与 法兰套或者炉体管道之间通过绝缘保护。本发明通...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种制备碱土金属铁钼氧化物磁性材料的方法
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种磁控溅射装置及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 磁控溅射
2023/12/20
一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 五水合五羟基十三硼酸钡 非线性光学晶体
2023/12/19
本发明提供一种五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，所述该化合物的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，采用水热法制成；该晶体的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，属于三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为a=7.5929(4)Å，b=8.0892(4)Å，c=10.0221(...
本发明涉及一种基于红外探测器质子位移效应的低温辐照试验测试方法，该方法涉及装置是由计算机、低噪声直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、GPIB转USB连接线、专用测试杜瓦瓶、温控仪、CDBA‑25Z排线、导线1和导线2组成，将装置放置在辐照室内，然后根据测试暗场或者光场的需求，选择是否在测试杜瓦瓶中安装冷屏，再利用分子泵对封装有红外探测器的测试杜瓦瓶进行排气，并灌装液...
本发明提供一种化合物十氟化八硼酸钠和十氟化八硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为Na4B8O9F10，分子量为512.44，采用水热法或真空封装法制成，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=18.680(18)Å，b=15.852(16)Å，c=4.816(4)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为1425.9(7)...
本发明提供一种化合物铷硼磷氧和铷硼磷氧非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Rb3B8PO16，分子量为629.86，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化合物的化学式为Rb3B8PO16，分子量为629.86，属于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=11.3490(9)Å，b=6.5524(6)Å，c=20.3870(18)Å，α=90°,β=11...