搜索结果: 1-15 共查到“物理学 SiC”相关记录29条 . 查询时间(0.462 秒)
石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究
SiC 石墨烯 肖特基势垒 第一性原理计算
2022/3/31
由于SiC禁带宽度大，在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒，制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题，因此，研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度（SBH）非常重要。本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，结合平均静电势和局域态密度计算方法，研究了石墨烯作为过渡层对不同金属（Ag，Ti，Cu，Pd，Ni，Pt）/SiC接触的SBH的影响。计算结果表明，单层石墨烯...
4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究
4H-SiC 快中子产额测量 注量响应
2022/3/22
为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性，利用强流氘氚聚变中子发生器（HighIntensityDeuterium-TritiumFusionNeutronGenerator，HINEG）测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱，高能段反应特征峰清晰可辨，12C（n，α0）9Be特征峰的半峰全宽（FullWidthatHalfMaximum，FWHM）为190?...
论文对采用化学气相沉积法在不同高温条件下生长的一组 3C-SiC/4H-SiC薄膜的光学和表面特性进行了深入研究。通过X射线衍射、X射线光电子能谱和拉曼散射光谱评估生长温度对薄膜形貌、光学和材料性能的影响。通过分析X射线衍射和拉曼散射光谱得到外延生长温度对薄膜结晶质量有显著影响。X射线光电子能谱表征了Si、C、O 元素的表面态以及随外延生长温度的变化。研究结果发现 3C-SiC拉曼横向光学声子模随...
1.5m量级SiC陶瓷素坯凝胶注模成型工艺
凝胶注模 碳化硅(SiC) 陶瓷素坯
2014/3/6
利用凝胶注模成型工艺制备了1.5 m量级轻型碳化硅（SiC）陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测试了SiC脱脂素坯的显微结构、力学性能和最终烧结体的机械性能和热学性能。结果表明：在最佳分散条件下，通过合理的颗粒级配，成功制备得到了固相含量高达65%，流动性良好的SiC陶瓷浆料。另外，随着固相含量的增加，SiC陶瓷浆料黏度急剧增大；随着混料时间的延长，浆料黏度出现先...
极紫外Mg/SiC、Mg/Co多层膜的稳定性
极紫外多层膜 多层膜反射镜 稳定性 湿度
2014/3/11
采用磁控溅射法在Si(100)基底上镀制了膜系结构分别为[Mg/Co]20、[Mg/SiC]20的两组多层膜，以研究Mg基多层膜的稳定性。对放置在室温和80%相对湿度环境下的样品进行显微镜、表面粗糙度和X射线掠入射反射率测试，对比研究了Mg/Co和Mg/SiC两种多层膜结构在相同环境中的损坏状况。对比结果显示：放置4天后，Mg/SiC损坏面积为26.34%，表面粗糙度为10 nm；Mg/Co的损坏...
Comparison of Graphene Formation on C-face and Si-face SiC {0001} Surfaces
Comparison of Graphene Formation Si-face SiC {0001} Surfaces
2010/11/19
The morphology of graphene formed on the ( 0001 ) surface (the C-face) and the (0001) surface
(the Si-face) of SiC, by annealing in ultra-high vacuum or in an argon environment, is studied by atomic ...
Identification of the major cause of endemically poor mobilities in SiC/SiO2 structures
Identification of the major endemically poor mobilities
2010/11/22
Materials with good carrier mobilities are desired for device applications, but in real devices the mobilities are usually limited by the presence of interfaces and contacts. Mobility degradation at s...
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth hot-wall CVD reactor
2010/11/18
Thick, high quality 4H-SiC epilayers have been grown in a vertical hot-wall chemical
vapor deposition system at a high growth rate on (0001) 80 off-axis substrates. We
discuss the use of dichlorosil...
本文阐述了一种4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池。利用Schottky结取代常用的p-n结，在活度为0.025mCi/cm2的241Am源辐照下进行测试，得到了开路电压VOC为0.25V、短路电流密度JSC为7.64nA/cm2和输出功率密度Pmax为1.12nW/cm2。在对4H-SiC肖特基结研制过程中的一些关键工艺进行研究之后，采用XRD法对欧姆接触成分进行了分析，结果表明形成了...
铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究
傅立叶变换红外光谱 离子注入 卢瑟福背散射分析
2009/11/27
主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层，波数在960—1450cm^-1范围内出现了干涉带，干涉带强度随着退火温度的升高而 变弱。1373K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示，一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。
SiC空间反射镜材料及其表面改性技术现状分析
SiC SiC反射镜 表面改性
2009/11/2
SiC材料具有良好的物理特性和机械特性，是制备大口径空间反射镜的主要候选材料之一，而SiC反射镜的制备、加工及其表面改性技术是推动高水平空间光学系统应用的重要条件。本文从实际工程应用的角度出发，分析了几种常用SiC基底反射镜材料的特性，介绍了4种SiC的制备工艺。研究了目前国内外SiC基底反射镜的应用现状及其表面改性情况，对改性层的性能指标、制备工艺和发展趋势进行了深入讨论。针对目前国内反射镜材料...
化学气相反应法制备不同碳基体表面SiC涂层组织结构分析
C/C复合材料 石墨 抗氧化涂层 SiC
2009/10/15
采用化学气相反应法, 以同种工艺分别在石墨和C/C复合材料表面制备了SiC涂层, 借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱分析等手段分析了涂层的微观结构, 研究了不同碳基体对SiC涂层结构和表面形貌的影响, 并初步对比考察了涂层的高温抗氧化性能. 结果表明: 制备的SiC涂层整体致密, 与基体结合良好, 但存在明显的结构差异. 石墨表面制得的SiC涂层呈梯度分布, 涂层主要由致密外层及...
磁控溅射DLC/SiC/Ti多层膜对镁合金摩擦磨损性能的影响
镁基材 薄膜 摩擦磨损 磁控溅射
2013/10/8
采用室温磁控溅射技术在镁合金(AZ91D)表面制备DLC/SiC/Ti(类金刚石/碳化硅/钛)多层膜(SiC,Ti为中间层),研究了薄膜的纳米压痕行为和膜基系统的摩擦磨损性能。试验结果表明:DLC薄膜具有低的纳米硬度(4.01GPa)和低的弹性模量(40.53GPa),但具有高的硬弹比(0.10);膜基系统具有好的摩擦磨损性能;在以氮化硅球为对磨件的室温干摩擦条件下摩擦系数平均约为0.19,与镁合...
120keV的N+注入SiC薄膜的光谱特性研究
SiC N+注入 光致发光谱 傅立叶红外光谱
2009/7/3
文中主要研究了120keV的N+注入后SiC薄膜样品的光致发光谱(PL)和傅立叶红外光谱(FTIR)特性.从红外光谱可以看到有明显得碳氮单键、双键、三键等新结构生成.从PL光谱则发现365nm处的发光峰明显增强,这表明N+注入使得带隙中深的能级辐射中心复合的效率大幅度提高
Potential Performance of SiC and GaN Based Metal Semiconductor Field Effect Transistors
Ballistic transport frequency response Steady-state Drain current
2010/7/5
A Monte Carlo simulation has been used to model steady-state electron transport in SiC and GaN field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters...