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离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1－xCx薄膜
Ge1-xCx 薄膜 电子枪蒸发 离子辅助沉积（IAD） 考夫曼离子源
2007/12/8
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1－xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比（G）,制备了G从40％到85％的Ge1－xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1－xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的...
超导高电荷态ECR离子源项目通过验收
中国科学院近代物理研究所 ECR离子源 重离子加速器 磁体
2006/12/12
2006年12月6日，中国科学院近代物理研究所承担的知识创新工程重大项目——超导高电荷态ECR离子源通过了中科院综合计划局、基础科学局专家组的验收。
简单介绍了采用炉子加热、 挥发性金属化合物和溅射产生ECR离子源的金属离子的3种方法和实验结果， 主要研究了铜、 锌、 镍和铁等多种电荷态离子的产生． 对3种方法分别进行了探讨.To satisfy the requirements of HIRFL (Heavy Ion Research Facility in Lanzhou)， series of experiments have been ...
高电荷态ECR离子源
电子回旋共振 等离子体 高电荷态 束流强度
2010/2/24
介绍了目前ECR离子源的发展状况和国际上几台典型的ECR离子源.Electron cyclotron resonance (ECR) ion source is the most efficient facility for producing highly charged ions. So far more than 1 emA of O 6+ and 0.02 eμA of U 55+ hav...
一台自制溅射负离子源的改进
溅射源 绝缘法兰 电离器 阴极负载
2010/2/25
自１９９５年以来，在中科院近物所２ＭＶ串列静电加速器上对溅射负离子源进行了调试．调试中对源体作了重大的改进，逐步完善了运行工艺，利用该离子源加速器可长时间提供Ｌｉ、Ｃ、Ｏ离子束.Since 1995, the sputter ion source has been tested on the 2 MV tandem accelerator in the Institute of Modern P...
阴极真空弧离子源的研制
真空弧放电 MEVVA离子源 离子注入 表面改性
2010/2/25
为发展金属离子束材料表面改性技术的工业应用，北师大低能核物理所研制成阴极真空弧离子源和离子注入装置．简要介绍该设备的结构、原理和性能.The cathode vacuum arc ion source and ion implantation facility have been developed in our institute for industrial application of su...