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系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍 了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电 路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的最新研究成果.最后对FeFET的未来研究作出展望。
铁电场效应晶体管是铁电薄膜和半导体场效应晶体管的集成，铁电薄膜的铁电回滞特性赋予场效应晶体管本征的存储功能。其基本原理是，利用铁电极化对通道电流进行调制。铁电场效应晶体管存储具有非易失性，而且是非破坏性数据读取，它存储密度高、速度快、能耗低，具有潜在的应用前景。基于纳米结构导电通道的铁电场效应晶体管将纳米材料独特的电输运性质和铁电薄膜的铁电特性有机地结合起来，同时，铁电薄膜还具有非常高的介电常数，...
铁电场效应晶体管是铁电薄膜和半导体场效应晶体管的集成，铁电薄膜的铁电回滞特性赋予场效应晶体管本征的存储功能，其基本原理是，利用铁电极化对通道电流进行调制。铁电场效应晶体管存储具有非易失性，而且是非破坏性数据读取，它存储密度高、速度快、能耗低，具有潜在的应用前景。基于纳米结构导电通道的铁电场效应晶体管将纳米材料独特的电输运性质和铁电薄膜的铁电特性有机地结合起来，同时，铁电薄膜还具有非常高的介电常数，...
