搜索结果: 1-15 共查到“物理学 输运性质”相关记录22条 . 查询时间(0.1 秒)
拓扑绝缘体量子输运性质研究取得进展（图）
拓扑绝缘体 量子输运 凝聚态物理
2024/1/9
电子-电子相互作用、量子干涉和无序对输运性质的影响是凝聚态物理研究的一个重要主题。量子干涉的一阶效应包括被广泛研究的弱局域化(weak localization)和反弱局域化(weak antilocalization)效应，分别对应于正交对称性(orthogonal symmetry)和辛对称性(symplectic symmetry)的体系。2004年Minkov等发现，对于前者，比如无序足够...
径向压缩碳纳米管的电子输运性质
碳纳米管 电子输运性质 径向形变 第一性原理
2022/3/24
研究径向压缩形变对碳纳米管电子输运性质的影响对搭建微纳碳基电子器件具有重要意义。本文利用分子动力学模拟方法研究了碳纳米管与金属界面接触构型，得出碳纳米管径向压缩形变的规律。模拟结果表明：碳纳米管在水平接触金属表面后，其稳定状态下的径向压缩形变大小会受接触长度、管径大小、金属种类和片层数量的影响。基于紧束缚密度泛函理论和非平衡格林函数结合的第一性原理，系统地研究了不同直径、手性、片层、径向压缩形变碳...
近日，中科院近代物理研究所的科研人员首次阐明了核子短程关联在核物质热导率及剪切黏滞性中的作用，进而说明了其在中子星输运性质及r-模不稳定性中的作用。科研人员利用微观多体BHF理论，并采用现实核力AV18及微观三体核力，自洽地计算了输运性质所需要的费米面处的单粒子强度、介质中的微分截面、核子有效质量以及状态方程等。结果表明，对于对称核物质、纯中子物质和β-稳定物质，当考虑核子短程关联时，输运系数都提...
硼掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的电输运性质研究
Bi2Se3 掺杂 纳米带 电输运性质
2022/3/28
本文首次报道了用自助溶剂法(self-flux)制备优良的硼(B)掺杂硒化铋(Bi2BxSe3-x)样品的探索。实验结果显示掺杂样品中大部分B是以替代Se位方式存在，少量B以插入Bi2Se3晶格或范德瓦尔斯间隙的形式存在。当B的含量逐渐增加时，Bi2Se3的晶格常数c先减小后增加，且样品具有清晰的层状结构。掺杂量x=0.05的样品局部区域出现纳米带结构，同时该样品在低温下出现了明显的金属-绝缘转变...
运用Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）理论研究了硅烯/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结的隧穿性质。研究发现：垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ1/Δ0强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值；当两种混合波的序参量比值较大时，隧道谱线在外加偏压E=Δ1处出现谐振峰；系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期...
高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质
二硅化钽 高压 晶体结构 电学输运性质
2018/3/30
作为一类稳定的低电阻及高温材料，二硅化钽(TaSi2)被广泛应用于集成电路中。因此，其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi2晶体在压力高达20 GPa时稳定的结晶学结构，并通过原位高压电阻测量发现，当压力增加到16.3 GPa时，TaSi2的电阻率趋于稳定在2 μΩ•cm左右；进一...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所召开国家重点研发计划“基于扫描探针的纳米尺度物理性能与输运性质测量技术研究”项目启动会（图）
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于扫描探针的纳米尺度物理性能与输运性质测量技术研究项目 启动会
2016/11/22
2016年11月5日，由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员牵头主持的国家重点研发计划纳米科技专项“基于扫描探针的纳米尺度物理性能与输运性质测量技术”项目在苏州召开项目启动会暨实施方案论证会。科技部高技术研究与发展中心闫金定处长、国家自然科学基金委员会张守著处长、北京大学朱星教授等10余位专家出席会议。
铁磁绝缘体中磁子输运性质的全电学方法研究获进展
全电学 铁磁
2016/2/24
磁性存储和磁逻辑等自旋电子学器件的核心在于自旋信息的传递，特别是自旋信息的产生、操控和探测是自旋电子学领域的一个基本问题。现有的自旋电子学中自旋信息主要依赖金属中的传导电子，一个非常有趣的问题是，是否有其他粒子甚至是准粒子可以作为自旋信息的载体？作为铁磁体中低能激发态的准粒子——磁子，是一种玻色子，并且一个量子化的磁子携带一个普朗克常量的自旋角动量。在金属中，传导电子自旋的输运通常伴随着电荷的输运...
中国科学院近代物理研究所等InSb半导体纳米线电学输运性质研究取得新进展
中国科学院近代物理研究所 半导体 纳米线 电学
2012/12/3
中科院近代物理研究所材料研究中心与德国Juelich研究中心及美国南加州大学合作开展InSb半导体纳米线电学输运性质研究并取得新进展。近物所材料研究中心科研人员多年来致力于金属和半导体纳米线的制备与性质研究，在纳米线光学性质研究、纳米线晶体结构调控、特殊结构与功能的纳米材料制备等方面均取得了一系列成果。
采用非平衡格林函数方法和密度泛函理论的第一性原理，计算外加非轴向微小应变作用下扶手椅型石墨烯纳米带的电子能态密度和透射谱.结果表明，半导体型扶手椅石墨烯纳米带的电子透射系数和能态密度对外加非轴向应变十分敏感，金属型扶手椅石墨烯纳米带的带隙在微小应变下即可打开.
利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论, 我们研究了多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结的电子输运特性. 结果显示, 电子输运性质强烈依赖于氮/硼的掺杂数目和掺杂位置.单氮/硼掺杂时出现最好的整流行为. 随着掺杂数目的增多, 整流性能显著降低. 此外, 一些掺杂情形在非常低的偏压下出现明显的负微分电阻行为.
利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论, 我们研究了多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结的电子输运特性. 结果显示, 电子输运性质强烈依赖于氮/硼的掺杂数目和掺杂位置.单氮/硼掺杂时出现最好的整流行为. 随着掺杂数目的增多, 整流性能显著降低. 此外, 一些掺杂情形在非常低的偏压下出现明显的负微分电阻行为.
开放Sinai台球中粒子输运性质的分形研究
开放台球 混沌性质 分形 分形维数
2012/3/21
Sinai量子台球能够模拟出混沌性质且数值运算相对简单, 成为研究微观体系动力学的理想模型。 本文以Sinai开放台球作为理论模型, 研究了粒子的逃逸, 并对逃逸中的碰撞次数进行了数值计算，得到的结果显示了初始条件对逃逸的重要性。采用简化的盒计数 (box-counting)算法分别计算了不同门电压和不同开口宽度对应的分形维数, 分析了Sinai台球中的门电压和开口宽度对体系混沌性质的影响。
铁电场效应晶体管是铁电薄膜和半导体场效应晶体管的集成，铁电薄膜的铁电回滞特性赋予场效应晶体管本征的存储功能。其基本原理是，利用铁电极化对通道电流进行调制。铁电场效应晶体管存储具有非易失性，而且是非破坏性数据读取，它存储密度高、速度快、能耗低，具有潜在的应用前景。基于纳米结构导电通道的铁电场效应晶体管将纳米材料独特的电输运性质和铁电薄膜的铁电特性有机地结合起来，同时，铁电薄膜还具有非常高的介电常数，...
